多晶硅衬底上制备HIT太阳能电池及其特性研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

分类号： TN304 密级： 公开 U D C： 620 编号： 201221801009 河北工业大学硕士学位论文 多晶硅衬底上制备 HIT 太阳能电池及其特性 研究 论 文 作 者： 王弘 学 生 类 别： 全日制 学 科 门 类： 工学 学 科 专 业： 材料物理与化学 指 导 教 师： 罗鸿志 陈贵锋 职 称： 副教授 副教授 资助基金项目：国家国际科技合作专项项目（2013DFR50200）、 河北省科技支撑计划）。 Dissertation Submitted to Hebei University of Technology for The Master Degree of Materials Physics and Chemistry PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF HIT SOLAR CELL ON POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE by Wang Hong Supervisor: Associate Prof. Luo Hongzhi Associate Prof. Chen Guifeng March 2015 This work was supported by the International Science And Technology Cooperation Program of China No. 2013DFR50200, the Hebei Science And Technology Support Project No.. 原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，进行研究工作所取得 的成果。除文中己经注明引用的内容外，本学位论文不包含任何他人或集体己经发表 的作品内容，也不包含本人为获得其他学位而使用过的材料。对本论文所涉及的研究 工作做出贡献的其他个人或集体 ，均己在文中以明确方式标明 。本学位论文原创性声 明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名 : 斗μ 日期 1到了 了 6 关于学位论文版权使用授权的说明 本人完全了解河北工业大学关于收集、保存、使用学位论文的以下规定 :学校有 权采用影印、缩印、扫描、数字化或其它孚段保存论文:学校有权提供本学位论文全 文或者部分内容的阅览服务 :学校有权将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库 进行检索、交流;学校有权向国家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版。 (保密的学位论文在解，密后适用本授权说明) 学位论文作者签名 : 工 L队 日期 yJrI. r. G 导师签名、罗31% 日期}--v rl . .r‘ 6 摘 要 众 所 周 知 ， 单 晶 硅 太 阳 能 电 池 的 效 率 要 高 于 多 晶 硅 太 阳 能 电 池 ， 因 此 在 HIT(heterojunction with intrinsic thin layer)太阳能电池领域，为了实现电池效率的持续 提升，人们常常以单晶硅作为电池的衬底材料。然而，由于多晶硅太阳能电池比单晶 硅太阳能电池的价格更低廉，多晶硅太阳能电池的效率也越来越接近单晶硅太阳能电 池，因此多晶硅太阳能电池已经成为太阳能电池制造业的主流产品。在电池的制备过 程中，由于制备工艺简单和低温工艺的特点，与其他类型的太阳能电池相比，HIT 太 阳能电池的成本相对较低。与此同时，为了实现 HIT 太阳能电池产业化更好的发展， 进一步降低成本已经成为电池发展过程中一个重要途径。本论文利用多晶硅代替单晶 硅做衬底材料，制备 HIT 太阳能电池，并对电池的性能做了优化，其主要成果如下： 本文在电池的制备过程中加入了退火吸杂工艺，目的是去除多晶硅体内存在的大 量重金属杂质和缺陷。分别利用铝吸杂和磷吸杂两种方式对多晶硅衬底硅片进行退火 吸杂处理。实验中改变退火吸杂的时间、温度、方法（恒温吸杂和变温吸杂）。研究 发现，恒温吸杂处理能有效地提高多晶硅片的少子寿命和少子扩散长度，吸杂的效果 随恒温吸杂时间和温度的改变而改变，并且铝吸杂和磷吸杂的退火吸杂效果基本相 同；变温吸杂的效果要强于恒温吸杂，在变温吸杂中磷吸杂后制备的 HIT 太阳能电池 的效率稍高于铝吸杂。 本文采用不同的处理办法腐蚀掉退火吸杂后多晶硅片表面的吸杂层，研究了不同 的腐蚀液在不同的腐蚀条件下对多晶硅片的影响。实验发现，多晶硅片的反射率会随 着腐蚀条件而改变，这也严重影响了 HIT 太阳能电池的光电转换效率，经过数据分析 与讨论，得到腐蚀的最好工艺窗口为：铝吸杂中利用浓度为 10%的 NaOH 溶液在 80℃ 腐蚀 20min；磷吸杂中 HF:HNO3=1:3 混合酸溶液在室温下腐蚀 50