磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究-材料学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究 磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究/罗士雨 - - I - - - PAGE VI - 磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究 罗士雨 导 师：周圣明 摘 要 在石油和天然气价格不断上涨的今天，可再生能源，尤其是太阳能的研究业 已成为各国各大研究小组研究的重点。随着太阳能电池的深入研究，薄膜太阳能 电池越来越受到人们的重视。与其他薄膜太阳能电池相比，多晶硅薄膜太阳能电 池具备以下的优点：在长波段具有光敏性，能有效吸收可见光，具备可与硅体电 池相比拟的转化效率；同时，它的制备工艺简单，成本低廉且不存在光致衰退效 应，寿命较长。因此，多晶硅薄膜太阳能电池是新一代太阳能电池的有力候选者， 而制备高质量、低成本的多晶硅薄膜材料也被视为未来太阳能电池的发展方向。 本文首先采用磁控溅射法制备非晶硅薄膜，然后分别用常规高温炉退火法和 金属诱导晶化法对其进行晶化。通过激光 Raman 光谱、扫描电子显微镜(SEM)、 X 射线衍射仪(XRD)和紫外可见光谱等表征方法对不同晶化条件下的样品进行分 析研究。 常规高温退火的结果表明：随着衬底温度的升高，Raman 散射峰出现明显的 蓝移，XRD 峰变得尖锐，表面形貌变得粗糙，光学带隙变窄，说明薄膜晶化程 度逐渐加深。提高样品的晶化温度，我们发现样品 Raman 散射峰逐渐接近 520cm-1；XRD 峰更加尖锐，出现多晶硅的特征峰；表面形貌更加粗糙；光学带 隙接近单晶硅的光学带隙。说明非晶硅薄膜已经转化为多晶硅薄膜。延长样品的 晶化时间，其 Raman 光谱、XRD 的变化趋势与衬底温度升高时的变化趋势相似。 将晶化温度对薄膜晶化的影响与衬底温度、晶化时间的影响作对比可知，晶化温 度对薄膜晶化的影响远远大于衬底温度和晶化时间的影响。 金属诱导晶化的结果表明：非晶硅薄膜在晶化温度很低时就已经开始晶化， 且晶化温度越高(Al 膜，温度600℃；Au 膜，温度400℃)，晶化时间越长，越 有利于非晶硅薄膜的晶化。Al 膜与 Au 膜诱导非晶硅膜开始转化为多晶硅膜的最 低晶化温度均为 100℃，但金属 Al 膜诱导非晶硅薄膜的晶化效果要明显优于金 属 Au 膜诱导的效果。 通过对比研究得出，金属诱导晶化法晶化非晶硅薄膜所需要的温度低，时间 短，晶化效果较好，因此选择金属诱导晶化更适合于太阳能电池的工业生产。 关键词：非晶硅薄膜，多晶硅薄膜，常规高温炉退火，金属诱导晶化，太阳能 电池 Ab Abstract 磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究 磁控溅射法制备非晶硅薄膜及其晶化研究/罗士雨 - - PAGE III - - - PAGE IV - Study of amorphous silicon film prepared by magnetron sputtering and its crystallization property Shiyu Luo Directed by: Shengming Zhou Abstract As the ever increasing prices of oil and natural gas, the renewable energy resources, especially solar energy, have been attracting more and more attention internationally. With the further research into solar cell, people put a great deal of energy on thin film solar cell. Comparing with other thin film solar cell, polycrystalline silicon thin film solar cell have a lot of advantages: Not only does it have photosensitive to the long-waved light, absorb visible light efficiently, but also have rather high efficiency, which can bear comparison with crystalline or polycrystalline silicon. Meanwhile, it has easy material preparation technology, low cost and long life without S-W effect. So polycrystalline silicon t