给受体协同组装及表面组装取向诱导调控聚合物太阳能电池界面形貌及其光伏性能-高分子化学与物理专业论文.docxVIP

摘 摘 要 万方数据 万方数据 摘 要 有机聚合物太阳能电池由于在低成本、轻重量方面的优势，同时具有器件 结构可调、可弯曲、可卷对卷制备大面积电池的特色，现在受到国内外研究者 越来越多的关注。而窄带隙的聚合物，由于可以通过结构改进来调节其吸光范 围、溶解性、成膜性等，现在已经成为有机太阳能电池中效率最高的一类给体。 对器件结构的设计和优化，同样可以达到提高器件效率和稳定性的目的。现在 有机太阳能电池不能商业化就是因为光伏效率和稳定性不够理想。本文就是正 对这两个问题，通过有机方法来达到提高器件光电转换效率和稳定性。 本文合成了两种基于三乙二醇甲醚(TEO) 的 聚合物给体 和富勒烯受体： 分别是聚{4,8-二(5-(2-乙基己基)噻吩-2-基)苯并[1,2-b:4,5-b] 二噻吩-alt-4,6-噻吩 并[3,4-b] 噻吩-2-碳酸 2-[2-(2-甲氧基- 乙氧基)-乙氧基]-乙酯} (PBDTT-TT-TEO) 和[6,6]-苯基 C61 丁酸 2-[2-(2-甲氧基- 乙氧基)-乙氧基]-乙酯(PCB-TEO)，被设 计来调控自组装纳米形貌和提高聚合物太阳能电池光活性层的稳定性。聚合物 {4,8- 二(5-(2-乙基己基)噻吩-2-基)苯并[1,2-b:4,5-b] 二噻吩-alt-4,6-噻吩并[3,4-b] 噻吩-2-碳酸 2-(2-乙基)己酯} (PBDTT-TT) 也被合成作为对照。与共轭聚合物 PBDTT-TT 相比，TEO 侧链可以使 PBDTT-TT-TEO 形成更有序的堆叠，将器件 效率(PCE)从 3.6% (基于 PBDTT-TT:PCBM 的器件) 提高到 4.1%。直接将 PBDTT-TT-TEO 与 PCB-TEO 共混作为活性层材料没有得到很高的效率，这是因 为 PCB-TEO 的溶剂柔性很差，使得膜的形貌很不平滑。 然而将少量 PCB-TEO 加入到 PBDTT-TT-TEO:PCBM 体系可以很大程度上提高器件效率。这是因为 PCB-TEO 可以作为增溶剂来很好的调控给受体的相容性；同时通过协同组装作 用来获得良好的体相异质结形貌。加入 5% PCB-TEO 后，可以得到最高 4.8%的 PCE，短路电流(Jsc) 为 12.18 mA/cm2，开路电压(Voc) 为 0.722 V，填充因子(FF) 为 55.0%；与基于 PBDTT-TT:PCBM 的器件相比几乎提高了 33% 的 PCE。此外 PCB-TEO 移到给受体的界面，可以增强 PBDTT-TT-TEO 与 PCBM 的相互作用。 最终提高了光伏器件稳定性。 与正向聚合物太阳能电池相比，反向器件有更好的稳定性。我们设计了一 种 新 型 的 含 有 末 端 双 键 的 液 晶 小 分 子 4-{(7- 辛烯基 )氧基 }-[1,1- 联苯 ]-4- 醇 (LB-V)来修饰电子传输层 ZnO，来提高器件的效率和稳定性。ZnO 直接作为电 I 子传输层，基于 PBDTT-TT-TEO:PCBM 的反向器件可以得到 3.5%的效率；加入 小分子后，通过氢键作用，ZnO 的表面得到了修饰，效率可以达到 3.8%；通过 退火，再通过双键紫外处理，其排列更加有序，形貌更平滑，ZnO 电子传输层 的形貌得到了稳固，达到了最优的效率 4.2%。由于双键对于缓冲层形貌的稳定， 器件的整体稳定性也得到了提高。 关键词：聚合物太阳能电池；增溶剂；协同组装；ZnO；退火；液晶性；稳定性 II Abst Abstract Abstract Due to the advantage of low cost, light weight, the adjustability and flexibility of device structure, the potential for roll-to-roll large area production, Organic polymer solar cells nowadays attract the eye of more and more researchers. Narrow band gap polymers, whose absorbance range, solubility and film-forming can be controlled by the improved structure, have become the most efficient kind of organic solar cells. Design and optimization of device structure can also achieve the goal of improving t