- 1、本文档共64页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
氮化镓功率晶体管应用技术研究-电力电子与电力传动专业论文
承诺书
本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下, 独立进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明 引用的内容外,本学位论文的研究成果不包含任何他人享有著 作权的内容。对本文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和 集体,均已在文中以明确方式标明。
本人授权南京航空航天大学可以有权保留送交论文的复 印件,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文的全部或部分 内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等 复制手段保存论文。
(保密的学位论文在解密后适用本承诺书)
作者签名: 日 期:
南京航空航天大学硕士学位论文
南京航空航天大学硕士学位论文
氮化镓功率晶体管应用技术研究
氮化镓功率晶体管应用技术研究
摘 要
硅(Si)功率器件发展至今已接近其性能极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率 密度的需求。氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、 寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。近年来多家半导体厂商已相继推出 GaN 器件,因 此,开展氮化镓功率晶体管的应用研究工作显得十分迫切。
本文首先分析了低压和高压 GaN 功率晶体管的性能优势与不足。低压增强型 GaN 晶体管 体积小、寄生参数小等优势适宜高频工作;但其反向导通压降高、驱动电压范围窄。高压耗尽 型 GaN 晶体管驱动技术简单,反向恢复特性优异,但其难以实现真正意义的 ZVS,这一定程度 限制了工作频率的提高。
在特性分析的基础上,针对低压 GaN 晶体管反向导通压降高、驱动电压范围窄的不足,本 文提出一种适用于低压 GaN 晶体管的改进型三电平驱动方式,该方式通过合理设置死区时间并 利用假性开通原理,减小了反向导通损耗、抑制了驱动电压的振荡。一台 12V 输入、1.2V/20A 输出、1MHz 开关频率的原理样机验证了所提方案的可行性。
对高压 GaN 功率晶体管,本文通过对比实验验证了封装寄生参数对高频工作性能的影响, 得出了表贴式封装适宜高频工作的结论。论文指出了高压 GaN 功率晶体管结电容小有利于减小 LLC 谐振变换器死区时间,从而优化关断损耗和导通损耗,提高变换器效率。实验室制作完成 了 400V 输入、12V/25A 输出、1MHz 开关频率的原理样机并与 Si MOSFET 进行了对比实验, 结果表明 GaN 器件的高频开关性能和效率优势明显。
关键词:氮化镓, 反向导通, 改进型三电平, 寄生参数, 死区时间
I
PAGE
PAGE IV
III
III
ABSTRACT
The performance of silicon power devices have come to their theoretical limits and it is hard to satisfy the requirements requested by switching power supplies, which feature with high frequency, high efficiency and high power density. On behalf of the wide band semiconductors, Gallium nitride (GaN) power transistors recieve widespread concern due to the fact that they enjoy fast switching capability, small parasitic parameters and excellent electric parameters. In recent years several manufacturers have developed the GaN power transistor devices. Therefore it’s urgent to conduct the research on the application of GaN power transistor.
Firstly this paper analyses the advantages and disadvantages of high voltage GaN and low voltage GaN power transistor respectively. Low voltage enhancement GaN power transistor has small size and small parasitic parameters, which makes it suitable in high frequency applicat
您可能关注的文档
- 根据反射光的相位移动实现激光测距-光学工程专业论文.docx
- 根据在癌突变谱中的共突变基因对识别癌基因-生物物理学专业论文.docx
- 根据有限矩阵乘积态研究Ising类自旋模型-理论物理专业论文.docx
- 根据有限矩阵乘积态研究Ising类自旋模型理论物理专业论文.docx
- 根据肌电图(EMG)信号评估人手臂肌肉力和肌肉疲劳的人工智能方法-机械制造及其自动化专业论文.docx
- 根据细胞周期联合使用他克莫司和霉酚酸酯治疗系膜增生性肾病的实验分析-内科学专业论文.docx
- 根治性前列腺切除术后尿控功能的评价与影响因素分析-临床医学(放射医学)专业论文.docx
- 根治性全胃切除术患者应用快速康复外科的研究-外科学(普外)专业论文.docx
- 根治性放疗与放化综合治疗食管癌长期生存的对比研究-肿瘤学专业论文.docx
- 根植于地域文化的历史主题公园景观规划设计研究-设计艺术学专业论文.docx
- 氮化铝钛及其掺硅硬质膜的研究-材料科学与工程专业论文.docx
- 氮化镓基LED外延片的SIMS溅射坑底形貌研究-材料物理与化学专业论文.docx
- 氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构界面调控及其电致发光特性分析-凝聚态物理专业论文.docx
- 氮化镓纳米线机械性能的模拟研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx
- 氮化镓量子阱波导及波导集成器件的研究-电子与通信工程专业论文.docx
- 氮取代氨基酸金属配合物的合成与结构研究-无机化学专业论文.docx
- 氮吡咯噻吩修饰的BODIPY光敏剂的合成及光伏性能研究-药物化学专业论文.docx
- 氮和氢离子注入单晶硅引起的损伤研究-材料物理与化学专业论文.docx
- 氮和硫属元素共掺杂TiO2的第一性原理研究-化学工艺专业论文.docx
- 氮对304L奥氏体不锈钢力学性能 的影响及其作用机理的研究-冶金工程专业论文.docx
最近下载
- 《针刺伤预防与处理》团体标准解读与实践PPT课件.pptx VIP
- 碳素、活性炭生产加工项目环评报告书.pdf VIP
- 《曹刿论战》第2课时示范公开课教学PPT课件【统编人教版九年级语文下册】.pptx
- (含图)原神家具负载表及计算器2.0.5.4.xlsx
- 【培训课件】财务管理与集团内部控制.ppt VIP
- DB50T 632-2015 火灾高危单位消防安全评估规程.pdf VIP
- 长庆油田公司第一采气厂地面产能建设工程 竣工资料编制办法.pdf
- AI能力融入职业院校教师数字素养培养的路径研究.docx VIP
- SB_T 11094-2014中药材仓储管理规范.pdf
- 102623 PDMS管道建模中放坡、开孔等12个学习要点.pdf
文档评论(0)