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氮化镓功率晶体管应用技术研究-电力电子与电力传动专业论文.docx

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氮化镓功率晶体管应用技术研究-电力电子与电力传动专业论文

承诺书 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师指导下, 独立进行研究工作所取得的成果。尽我所知,除文中已经注明 引用的内容外,本学位论文的研究成果不包含任何他人享有著 作权的内容。对本文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和 集体,均已在文中以明确方式标明。 本人授权南京航空航天大学可以有权保留送交论文的复 印件,允许论文被查阅和借阅,可以将学位论文的全部或部分 内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等 复制手段保存论文。 (保密的学位论文在解密后适用本承诺书) 作者签名: 日 期: 南京航空航天大学硕士学位论文 南京航空航天大学硕士学位论文 氮化镓功率晶体管应用技术研究 氮化镓功率晶体管应用技术研究 摘 要 硅(Si)功率器件发展至今已接近其性能极限,难以满足开关电源高频、高效率、高功率 密度的需求。氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽禁带半导体材料的典型代表,因其开关速度快、 寄生参数小、电气参数优越而受到广泛关注。近年来多家半导体厂商已相继推出 GaN 器件,因 此,开展氮化镓功率晶体管的应用研究工作显得十分迫切。 本文首先分析了低压和高压 GaN 功率晶体管的性能优势与不足。低压增强型 GaN 晶体管 体积小、寄生参数小等优势适宜高频工作;但其反向导通压降高、驱动电压范围窄。高压耗尽 型 GaN 晶体管驱动技术简单,反向恢复特性优异,但其难以实现真正意义的 ZVS,这一定程度 限制了工作频率的提高。 在特性分析的基础上,针对低压 GaN 晶体管反向导通压降高、驱动电压范围窄的不足,本 文提出一种适用于低压 GaN 晶体管的改进型三电平驱动方式,该方式通过合理设置死区时间并 利用假性开通原理,减小了反向导通损耗、抑制了驱动电压的振荡。一台 12V 输入、1.2V/20A 输出、1MHz 开关频率的原理样机验证了所提方案的可行性。 对高压 GaN 功率晶体管,本文通过对比实验验证了封装寄生参数对高频工作性能的影响, 得出了表贴式封装适宜高频工作的结论。论文指出了高压 GaN 功率晶体管结电容小有利于减小 LLC 谐振变换器死区时间,从而优化关断损耗和导通损耗,提高变换器效率。实验室制作完成 了 400V 输入、12V/25A 输出、1MHz 开关频率的原理样机并与 Si MOSFET 进行了对比实验, 结果表明 GaN 器件的高频开关性能和效率优势明显。 关键词:氮化镓, 反向导通, 改进型三电平, 寄生参数, 死区时间 I PAGE PAGE IV III III ABSTRACT The performance of silicon power devices have come to their theoretical limits and it is hard to satisfy the requirements requested by switching power supplies, which feature with high frequency, high efficiency and high power density. On behalf of the wide band semiconductors, Gallium nitride (GaN) power transistors recieve widespread concern due to the fact that they enjoy fast switching capability, small parasitic parameters and excellent electric parameters. In recent years several manufacturers have developed the GaN power transistor devices. Therefore it’s urgent to conduct the research on the application of GaN power transistor. Firstly this paper analyses the advantages and disadvantages of high voltage GaN and low voltage GaN power transistor respectively. Low voltage enhancement GaN power transistor has small size and small parasitic parameters, which makes it suitable in high frequency applicat

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