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低温共烧PZT基压电陶瓷的研究及多层器件的制备-材料学专业论文
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南京航空航天大学硕士学位论文
南京航空航天大学硕士学位论文
低温共烧
低温共烧 PZT 基压电陶瓷的研究及多层器件的制备
摘 要
低温共烧多层压电陶瓷具有体积小、性能高等优点,在集成电路等方面具有广泛的应用。 多层低温共烧陶瓷技术的关键是选择在较低温度烧结时具有较高综合性能的陶瓷基体,并可用 流 延 等 方 法 制 备 高 质 量 的 具 有 一 定 厚 度 的 流 延 生 片 。 Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3-Sr(K0.25,Nb0.75)O3 (PZT-SKN)陶瓷具有高的压电性能(d33=445pC/N)和高的居里温度(TC=356℃),是制作低温共 烧多层器件的理想材料。本论文根据铌酸钾钠(Na0.5K0.5)NbO3 陶瓷的组成,在 PZT-SKN 的基础 上进行改进,研制了一种新的体系:Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3-Sr(Na0.25,Nb0.75)O3 (PZT-SNN)。通过探讨 SKN/SNN 含量、烧结温度、CuO 含量及潮解性能对陶瓷微观形貌和各方面性能的影响,确定 了最佳的成分和烧结工艺,并利用流延法制备了低温共烧多层陶瓷器件,对其进行了性能测试。 首先,利用传统固相法制备了 PZT-SKN 和 PZT-SNN 压电陶瓷,通过分析其微观结构和压 电、介电等性能,得出当 SKN 含量为 1 wt%、SNN 含量为 2 wt%,并且陶瓷在 1175℃烧结时,
两体系具有最优性能。当添加 1 wt% 的 CuO 时,0.98PZT-0.02SNN 陶瓷的烧结温度可降到 900℃, 其性能为:ρ=7.67g/cm3、d33=316 pC/N、kp=0.49、εr=2260、Qm=134.44、tanδ=0.012、TC=353℃。 此成分的压电陶瓷可以用于制作内电极为 Ag 的低温共烧叠层器件。此外,通过对比两个体系 的潮解性能,发现 PZT-SNN 系陶瓷的耐潮解性能比 PZT-SKN 体系好。
其次,通过探索浆料制备工艺,利用流延法制备出了厚度约为 60μm 的流延生片,其表面 光洁度较好,没有气泡、裂纹等缺陷,且可以很完整的从流延塑膜上揭取下来,可用于制备叠 层器件。
最后,通过确定合适的丝网印刷工艺和叠层、烧结工艺,成功制备出了叠层器件。观察其 显微形貌可知,陶瓷层和内电极银层厚度均匀,且两者之间的分界线很明显。内电极银层未出 现流渗的现象。极化后测其压电性能可知,叠层器件的压电常数 d33 值随着层数的增加逐渐增 加,且基本呈线性关系。同时,通过搭建实验平台,测得叠层器件的变形量和其产生的电压呈 正比,说明其具有较好的传感性能,可利用其制作压电传感器。
关键词:PZT-SKN,PZT-SNN,潮解性能,低温共烧, 多层器件
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ABSTRACT
With the advantages of small volume and high performance, multilayered low temperature cofired piezoelectric ceramic has a wide application in integrated circuit aspect. The key factor of this technology is to choose a piezoelectric ceramic with a good comprehensive performance sintered at low temperature that can be made into film by some method such as tape casting. Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3-Sr(K0.25,Nb0.75)O3 (PZT-SKN) ceramic has both large d33 values (445pC/N) and
high Cure temperature (356℃), becoming a promising material for multilayered low temperature
applications.
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