高介微波介质薄膜研究-电子科学与技术专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究 工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢 的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也 不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用 过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论 文中作了明确的说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论 文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和 磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位 论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、 缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 高介微波介质薄膜具有高的介电常数、低的介电损耗、高的耐压、低的漏电 流、稳定的容值等特点，可用于 MMIC（单片微波集成电路）电路中的微波/射频 电容来替代外接的大电容旁路/退耦电容，以实现微波集成电路的全单片集成。本 文使用射频磁控溅射技术，在蓝宝石的基片上，制备了高品质的高介微波介质薄 膜 BNST（BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2）；研究了不同溅射气氛对薄膜溅射速率的影响， 不同退火温度对薄膜结构的影响。 另一方面，BNST 介质薄膜中含有稀土氧化物，这增加了薄膜图形化的难度。 本文研究了介质薄膜图形化的工艺，并发明了用于刻蚀含稀土氧化物微波介质薄 膜的刻蚀液。用这种刻蚀液能够刻蚀宽度为 4μm 以下的线条，刻蚀出的薄膜侧腐 蚀小，边缘清晰、陡峭，可以满足介质薄膜在 MMIC 电路中集成的工艺需要。并 制备了 MIM（金属-绝缘体-金属）结构的薄膜电容，通过测试分析，对其微波介 电性能进行了研究。主要研究结果如下： 1、采用固相反应法制备了 BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2 四元系高介微波陶瓷，采 用谐振法对 BNST 陶瓷进行微波性能测试，测试结果表明：在 3Ghz 测试频率下测 得 BNST 陶瓷介电常数达到 76，Q·f 达到 7110GHz，温度系数 τf 为 17.32ppm/℃， 具有较高的微波性能。并制备出直径为 120cm 的应用于射频磁控溅射系统的 BNST 陶瓷靶材。 2、采用射频磁控溅射法制备出 BNST 介质薄膜，研究了薄膜制备的工艺条件 对薄膜溅射速率的影响，并确定了薄膜的最佳制备工艺；着重研究了退火温度对 薄膜微结构和性能的影响。研究结果表明：在 860℃的退火温度下，BNST 薄膜有 最好的性能。 3、发明的 BNST 薄膜刻蚀液，能在 3min 内将薄膜刻蚀干净，并且刻蚀出的 薄膜侧腐蚀小，边缘清晰、陡峭，可以满足介质薄膜在 MMIC 电路中集成的工艺 需要。 4、BNST 介质薄膜制备的 MIM 结构电容的介电常数达到 60，损耗小于 0.12%； 漏电流小，耐压大于 120V，容值随电压基本不变；对 MIM 结构的薄膜电容进行 微波性能测试，得到电容截止频率约为 6.5GHz，薄膜的介电常数不随频率变化， Q 值变化也在正常范围内，经中电 55 所试用认为 BNST 高介微波介质薄膜具备在 I 摘 要 微波频率下使用的条件。 关键词：微波集成，薄膜电容，高介薄膜，BNST II Abstract Abstract High-k microwave dielectric thin films can be used in the microwave/RF MMIC circuit to achieve the full monolithic integration of microwave integrated circuits. High-k microwave dielectric thin films have high dielectric constant,low dielectric loss, high voltage, low leakage currents and stable tolerance values. It can replace externalcapacitor bypass / decoupling capacitors.The BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2 (BNST for short) thin-film was prepared by radio frequency magnetron sputtering system base on Al2O3 ceramic substrates.The effects of t