高介热稳定钛酸钡陶瓷研制-微电子与固体电子学专业论文.docxVIP

摘 要 以BaTiO，为基的陶瓷材料是目前高介X7R陶瓷材料研究与应用 领域的热点之一。本论文工作对该陶瓷介电性能的理论研究进行分析 总结，从材料的微观结构出发，分析探讨添加剂对其介电常数、损耗、 温度变化率的内在机制与影响因素，以此为基础通过掺杂纳≯：添Duj=f|J 对BaTi03系统介电陶瓷进行改性研究，主要研究目的是希望获得同 时具有良好烧结性能与优异介电性能的X7R介质材料。 1、Mg的添加发生Ti位取代，能有效提高系统的介电常数，同 时造成居里峰的漂移，但是引起高温时变化率过大。 2、Nb、Co通常成对作为添加剂，以【舫魏国麓】4十离子形式取代 Ti位，形成核一壳结构。介电常数随Nb／Co的减小而增大。Nb、Co 在-750℃预烧后，【^『酲+30麓】．+取代Ti4+晶粒壳体积分数有所增加，低 温时的介电常数温度曲线将被提高，但存在介电常数变化率过大。 3、添加O．046wt％MnCO]的BaTi03体系，具有最优的介电什能。 Mn的加入起到了助熔剂的作用，促进了BaTi03陶瓷的结晶，增大， 陶瓷的介电常数。由于Mn离子的变价，即在二价和三价之间变化， 能有效降低陶瓷的损耗。其主要工艺条件和性能参数为：烧结温度l 240℃(保温6h)，在1 kHz下e=5800，tan d1．5％，介电常数温度 变化率。15％Ae／e15％，绝缘电阻率：p21×10“Q．cm。 4、采用溶胶一凝胶法制备BaTi03粉体。我们制备BaTi03溶胶一 凝胶在800。C烧结时可获得纳米级粉体。纳米添加剂能将陶瓷介电常 数提高到5500左右，但温度变化率过大。共同添加纳米BaTi03以及 Nb、Co热处理化合物，获得了具有良好烧结性能与优异介电性能的 X7R介质陶瓷材料；该BaTi03体系主要工艺条件和性能参数为：烧 结温度l 260℃(保温6h)，在1 kHz下ez4200，tan逛1．5％，介电 常数温度变化率．10％Ae／e10％，绝缘电阻率：pv_lxl0”Q．cm。 关键词：钛酸钡、X7R、纳米、添加剂。  ABSTRACT B—n03一based X7R dielectric materials have gotten close attention in the field ofX7R ceramics．In this paper,it was investigated that the effect ofaddifive on the dielectric properties and microstructure ofthe system． and the studies on X7R systems were conducted by using nanoscaled powders additives．The goal ofthis work is to obtain X7R materials with both good sinterability and excellent dielectric properties． 1．Mg mainly taking place ofTi site Can enhance dielectric constant and alSO increase Ae／e． 2．Nb and Co were used as a pair ofadditives．which took place ofTi site in the form of【硒荔CD嚣】4+，and form“core—ceW’structure．When Nb and Co sintered at 750C，the thickness ofaverage grain—shell was larger,the curve of dielectric constant——temperature at low temperature was enhanced．and Ae／e increased． 3．The BaTi03 ceramics doped witll 0．046 wt％MnC03 holds superior dielectric properties．It was found that Mn additive practices as sintering agent。which improves the dielectric constant ofthe system．弭伪en manganese ion transcribes from 2+to 3+valence，tan每reduces．the materials fit EIA X7R specification．The main proces