高κ围栅MOSFET器件的栅极隧穿电流研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Study of tunneling gate current for high-κ surrounding-gate（SG）MOSFET A Dissertation Submitted to Xidian University in Candidacy for the Degree of Master in Condensed matter physics By Shi Lina Xi’an, P. R. China January 2014 西安电子科技大学 学位论文创新性声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕 业离校后，发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。 学校有权保留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全 部或部分内容，可以允许采用影印、缩印、或其它复制手段保存论文。同时本人 保证，毕业后结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技 大学。 本人签名： 日期 导师签名： 日期 摘要 摘要 随着器件尺寸的不断缩小，栅极氧化层厚度也不断减小，这导致器件的栅极 泄露电流迅速增大，从而影响器件的静态功耗、可靠性以及工作性能。因此，减 小栅极隧穿电流是十分重要的。本文从器件结构和栅介质两个方面入手来减小栅 极隧穿电流：器件结构方面，主要围绕长沟道圆柱围栅 MOSFET 器件进行论述； 栅介质方面，主要围绕高 κ 材料进行讨论。 文中主要讨论了圆柱围栅结构 MOSFET 器件的栅极直接隧穿电流。分别建立 了长沟道高 κ 圆柱围栅 MOSFET 器件栅极直接隧穿电流的解析模型和长沟道高 κ 栅栈结构圆柱围栅 MOSFET 器件栅极直接隧穿电流的解析模型。从前者得到的结 论是：直接隧穿电流主要是表面势的函数，表面势主要取决于等效氧化层厚度， 因此，直接隧穿电流也主要取决于等效氧化层厚度，沟道半径对其影响很小；当 等效氧化层厚度为 1nm 时，采用 HfO2 栅介质与传统 SiO2 相比，栅极直接隧穿电 流可以减小 4 个数量级。从后者得到的结论是：栅极直接隧穿电流主要取决于栅 栈的等效氧化层厚度，沟道半径对栅极直接隧穿电流无影响；增大栅栈中 SiO2 层 的厚度或者高 κ 层的物理厚度都可以减小栅极的直接隧穿电流，且高 κ 层的物理 厚度稍有变化，对栅极直接隧穿电流影响非常大；当栅栈结构的等效氧化层厚度 保持不变时，SiO2 层的厚度越小，栅极直接隧穿电流就越小；当栅栈结构的等效 氧化层厚度保持不变时，栅极选用的高 κ 层材料的介电常数较大，栅极直接隧穿 电流就越小。 综上所述，本文在长沟道圆柱围栅 MOSFET 器件结构的基础上，分别建立了 高 κ 栅以及高 κ 栅栈结构器件的栅极直接隧穿电流的解析模型，此外，三维器件 仿真工具 ISE 的数值计算结果也与模型结果进行了对比，两者结果吻合一致，进 而验证了所建立解析模型的正确性。 关键词：圆柱围栅 MOSFET 直接隧穿 栅极电流 解析模型 高 κ 栅介质 高 κ 围栅 MOSFET 器件的栅极隧穿电流研究 Abstract Abstract With the downscaling of the device, the thickness of oxide becomes thinner, which leads to greater leakage current. The increased gate current not only increases standby power consumption but also greatly affects device performance and reliability. So, it is essential to decrease the gate current. Gate dielectrics and device structure are mainly discussed in this paper to decrease the t