高p型导电率氧化锌的设计与计算-信号与信息处理专业论文.docxVIP

其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得江西科技师范学院 其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得江西科技师范学院 或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究 所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者签名(手写)：体乡动 签字日期： z口fJ年 ‘月7日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解江酉抖撞』!巫菹堂瞳有关保留、使用学位论文的规 定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被 查阅和借阅。本人授权塑酉抖撞!!巫菹堂院可以将学位论文的全部或部分内容编 入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本 学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名(手写)：i咏乡劢 导师签名。手写2绷 签字日期：加IJ年6月7日 签字日期．刎年石月扣 摘要半导体材料是支撑现代信息社会的基石，也是新型能源开发和利用的重要 摘要 半导体材料是支撑现代信息社会的基石，也是新型能源开发和利用的重要 基础。ZnO作为一种新型半导材料，因具有宽带隙、高激子束缚能，而被广泛 应用于太阳能电池、表面声波器件、液晶显示、气敏传感器、压敏器件等。但 是，目前性能优异、稳定重复性好的p型ZnO仍未真正实现。其主要原因是： 一、ZnO掺杂非对称性使p型难以实现；二、ZnO的晶格不匹配基础上的掺杂。 因此，本文致力于从理论上系统地计算和设计p型ZnO。本文采用基于密度泛 函(DFT)的第一性原理计算方法，着重研究了掺杂对ZnO体材料及表面缺陷 对ZnO导电性影响的机制。 1、研究了单掺杂对ZnO对其电学性质的影响。1)对纯净ZnO的电子结构 分析得出：上价带主要由Zn-d态贡献，下价带主要由O．s态贡献。而导带部分 主要由Zn．s提供。2)对N单掺杂ZnO的电子结构研究发现：费米能级进入价 带，在价带顶存在一定的峰值，体系呈现p型特征，但由于空穴的相互作用使 得载流子局域性很强，从而降低氮的固溶度，在费米能级附近形成深受主能级， 限制了载流子浓度，不利于p型ZnO的形成。3)对Znl．xMxO(M=Sn，Y)的 电子结构研究发现，掺杂体系均呈现n型特征。但是Sn掺杂ZnO体系发生红移 现象，Y掺杂ZnO体系发生蓝移现象，而且，在高掺杂条件下，浓度越低，体 系的导电率越高。 2、研究了共掺杂对p型Zno的电学性质的影响。1)对于(nN，Mg)共掺 杂znO，计算了体系的缺陷形成能、离化能、结合能和导电因子以及电子结构。 研究发现，4N．Mg共掺杂ZnO，可以得到低离化能和高电导率的p型ZnO。2) 对于(N，Ag)共掺杂ZnO，结果表明：随着N浓度增加，p型导电性增强， 当N与Ag的浓度达到3：1时，导电性最强。3)对于(nN，B)共掺杂模型， 研究发现，当N与B浓度比为l：1时，表现为本征态。但是在该浓度比下，存 在一个Zn空位时，体系逐渐由本征态转变为弱p型。当逐渐增加N的浓度时， 体系逐渐表现为强p型。4)对于F—Li共掺杂znO，研究结果发现：Li浓度增 加时，可以提高p型导电率。 3、研究了ZnO(10 l O)表面缺陷对其电学性质的影响。1)计算了纯净 摘要ZnO(10l 摘要 ZnO(10l 0)表面的表面能、电子结构和功函数。结果表明，ZnO(101 O)表面的表 面能最小，是解理面。从分波态密度图中发现，在表面形成成键的表面态。2) 计算了含有空位缺陷的ZnO(10l 0)表面的形成能、表面能和电子结构。结果发现， 表面Zn空位和O空位对对晶格畸变影响都较大，空位更易在表面形成。含Zn 空位时，表现为弱p型。含O空位时，具有n型的特征。3)采用Nudged E1aStic BaIld(NEB)方法研究了ZnO(101 O)面中的本征缺陷扩散的问题。研究结果发 现：Zn间隙的直接扩散至次近邻的间隙位所需要克服的势垒最小，表明直接扩 散是Zn间隙的直接扩散是其最有可能的扩散机制。Zn空位的直接扩散势垒比较 高，表明Zn空位在ZnO(10 1 O)表面较易稳定存在；O间隙的直接扩散的势垒较 高，这说明氧原子在表面的不易扩散，比较稳定；O空位由第一层扩散到第二层 的直接扩散势垒很高，这表明ZnO(10 l O)表面的氧空位比较稳定，这是ZnO制 备易呈现n型的一个主要原因。 关键词：p型znO；电子结构；共掺杂；第一性原理；扩散 H ABSTRACTABSTRACT ABSTRACT ABSTRACT Semiconductor materials are not only t11e comerstone of t11e modem i川0mation