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双面电池、组件简介 一、电池技术 1.1 PERC技术 PERC?电池的工艺流程包括：沉积背面钝化层，然后开槽形成背面接触。相较常规光伏电池的工艺流程新增了两个重要工序。此外，基于湿式化学工作台的边缘隔离工序需要针对背面抛光稍做调整。抛光的程度基于所选技术的不同而异。因此，钝化膜沉积设备和开槽设备（可采用激光或化学蚀刻方法）是需要在传统电池产线上额外增加的加工设备。对于较少应用的激光边缘隔离处理工艺生产线，需要增加一个化学湿式工作台进行背面抛光。 相对于常规P型电池，P-PERC电池有两个明显的优势： ① 显著降低背表面复合电流密度，提高电池开路电压； ② 形成良好的背表面内反射机制，增加光吸收几率，提高电池短路电流； 电池效率的提升多晶会在0.5%~0.8%，单晶会在0.8%~1.0%。PERC电池的优点：相当容易改造的，只需要加2~3个步骤，就能够实现技改的升级，而且投入也比较低，相对来说每100兆瓦的投入大概会在2000万元。 图1 perc 电池流程图 电池生产商广泛用于规模化生产的两种氧化铝沉积技术是等离子体增强化学汽相沉积（PECVD）和原子层沉积（ALD）。PECVD 所占市场份额最大，且在电池生产中不仅可用于氮化硅的沉积，而且沉积氧化铝并覆以氮化硅可以在不同腔体的同一工序中完成。ALD 技术沉积膜的质量比PECVD 更佳，但该技术需要在生产线上额外增加一套PECVD 设备，用于氮化硅的沉积。 双面PERC电池背面采用铝栅线设计，可以有效降低局域接触空洞。对改善局域铝背场均匀性从而提升电池开路电压有帮助。关键技术如下：（1）铝栅线烧结后需具有一定的高宽比，可以增加光照面积，有利于收集更多的光生电流，提升PERC电池背面转换效率（2）具备良好接触处局域填充效果及厚度适合的铝背场，以减小体电阻率。其对背面铝浆和金属化提出了一些特殊工艺要求：（1）背面印刷精度较单面PERC电池的要求略高；（2）背面需丝网印刷铝栅线，对铝浆提出了更高的要求。根据阿特斯的经验，双面PERC技术制作完善的条件下，正面效率不会降低。 图2 介质钝化效果比较 高效PERC双面电池：与常规PERC电池相比， 正面加载SE技术，电池Voc提升7 mV左右； 背面铝栅线二次印刷，提高双面电池的填充因子， PERC (SE)+平均效率为22.06%； 1.2 N型电池 相较于P型电池，N型双面电池具备的优势。 （1）N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级，达到毫秒级。无硼氧（B-O）复合体所造成的光致衰减（LID）效应。 （2）其次，N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。 （3）温度系数低，高温条件下仍可获得高功率输出。工作温度较常规单玻组件低3-9℃，减小因温度提高带来的功率下降。 （4）N型单晶双面电池正背面均印刷Ag栅线且图形相近，因此N型单晶双面电池结构均有对称性，电池在丝网烧结印刷后不产生翘曲。 基于晶体结构的特性，具有少子寿命高、光衰减系数低、弱光响应佳、温度系数低、工作温度低、且双面皆可发电的优点，目前最高效的晶硅太阳电池也都是采用了N型硅片，比如IBC，HIT，N型双面电池等。而爱康、赛维、中科院微系统所/通威、晋能、彩虹、中智则想在异质结HJT双面电池有一番作为。 PERC单晶正面产线效率21.3%~21.8%左右，双面率维持在70-80%左右，而龙头企业的PERC单晶正面效率已经突破22%，双面率也达到80%左右。高双面因子（双面率，背面转化效率占正面转化效率的百分比），HJT、N-PERT双面因子（双面率）可高于90%，IBC的双面因子（双面率）约为80%。 PERT技术 PERT（Passivated Emitter，Rear Totally-diffused cell），钝化发射极背表面全扩散电池，是一种典型的双面电池。双面太阳电池是指硅片的正面和反面都可以接受光照并能产生光生电压和电流的太阳电池，这种电池可以用P型硅片制造，也可以用N型硅片制造。nPERT双面电池基本工艺流程为：（1）双面制绒（2）上表面扩散硼制成P+N结（3）背面扩散磷制成N+N结（4）双面钝化薄膜（5）双面金属化，结构示意图如图3所示。 图3 nPERT电池结a双面 b 单面 在N型电池技术领域，中来光电通过创新型离子注入法进行磷扩散，简化工艺的同时也提升了电池效率，目前已量产的N-PERT双面电池效率可达21.5%。 TOPCon TOPCon：Tunnel Oxide Passivated Contact 隧穿氧钝化接触：该电池采用高质量的超薄氧化硅和掺杂多晶硅层