c注入 及csi和cmg共n型gan发光性质的研究.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 关于学位论文使用授权的声明本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属兰州大 关于学位论文使用授权的声明 本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权归属兰州大 学。本人完全了解兰州大学有关保存、使用学位论文的规定，同意学校保存或 向国家有关部门或机构送交论文的纸质版和电子版，允许论文被查阅和借阅； 本人授权兰州大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索，可以采用任何复制手段保存和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用 学位论文或与该论文直接相关的学术论文或成果时，第一署名单位仍然为兰州 大学。 保密论文在解密后应遵守此规定。 论文作者签名：亟塑理导师签名：趁l!坠日期：型量：篁：吖论文作者签名：丝型臣导师签名：型I!坠日 期：型量：篁：吖 兰州大学博士论文 兰州大学博士论文 摘要 摘要 GaN薄膜是一种具有优良物理和化学特性的宽带隙半导体材料，本论文对 其生长、器件制备和内部点缺陷的形成能和跃迁能级等进行了系统的调研。C是 GaN中常见的一种残留杂质，也经常被作为一种P型掺杂物被有意的掺入GaN 中。它对GaN的光学和电学性质都有着重要的影响。本论文研究了单C离子注 入，以及C+Si和C+Mg双离子共注对非有意掺杂n型GaN发光性质的影响。。 根据黄光发射强度的不同，本实验中使用的未注入的GaN样品被分为有黄 光发射(撑1)o有强黄光发射(撑2)和无黄光发射(群3)三种不同的类型。单C 离子注入的剂量范围在1013,-1017cm-2，C+Si和C+Mg双离子共注的剂量范围在 1013-1016cm-2。样品注入后在流动N2的保护下进行了退火，退火温度为950C， 退火时间为30min。通过被注入样品在退火前后的室温光致发光谱和微区Raman 谱的测量和分析，我们主要研究了单C离子注入对GaN黄光发射和带边峰发射 的影响，以及C+Si和C+Mg双离子共注对GaN黄光发射和红光发射的影响，并 对以上三种发光带(黄光带、红光带和带边峰发射)的成因进行了合理的推断和 解释。 单C离子注入的实验结果表明，对于原本无黄光发射的撑3型GaN，C注入 可以有效地产生CmN的黄光发射。而对于原本有黄光发射的撑l和撑2型GaN，C 注入使得原黄光发射的强度大为降低。Ci或Ci．CN复合体被认为是除VGa和 Vc扭-Os复合体外，另一种与GaN黄光发射有关的深能级中心。在1013～1016cm2 剂量范围内，群1，舵，和群3型GaN的黄光发射强度随注入剂量的增大而减小， 而当C离子注入剂量达到1017cm-2时，由于注入损伤的加重，GaN中Ci或Ci．CN 复合体的浓度会显著增大，撑1，圯，和躬型GaN的黄光发射强度都表现出一个 明显的反弹。 对于GaN的带边峰发射，根据其峰位随C离子注入剂量的增加逐渐向高能 方向偏移的实验结果，我们推断该发射带是由束缚在浅施主(vN)能级上的束 缚激子跃迁和浅施主到浅受主间跃迁(Ⅸ妤)的谱线重叠而成。GaN带边峰峰 位的偏移被认为是由于不同离子注入剂量下；vN浓度的不同造成的。 另外，通过对比撑1和撑2型GaN的黄光峰和带边峰发射强度随C离子注入剂 兰州大学博士论文 兰州大学博士论文 摘要 量的变化，我们发现离子注入对黄光发射的减弱要比对带边峰发射的减弱大得 多，并将此归因于在离子注入过程中GaN表面对与黄光发射相关的点缺陷具有 很强的吸附作用，并且这种吸附作用会随着离子注入深度的增加而减弱。 C+Si和C+Mg双离子共注GaN的研究表明，Mg离子注入对11型GaN的 黄光发射有抑制作用。而深受主vI丽或VGa-ON复合体被认为与GaN红光发射有 关。当C掺杂的浓度增大，越来越多的C开始形成CGa时，GaN中的红光发射 明显减弱。因此在高注入剂量下(≥1015cm2)，C杂质对aN的红光发射有抑制 作用。 4 兰州大学博士论文 兰州大学博士论文 摘要 Abstract Gallium nitride(㈣is all important、)Iride energy gap semiconductor material with good properties．The films growth,GaN-based devices，and the formation and energy levels of point defects in GaN ale investigated．Carbon is often present