单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究-机械工程专业论文.pdf.docxVIP

分类号： 分类号： 学校代号： 11845 U D C： 密级： 学 号： 1 120901001 广东工业大学博士学位论文 (工学博士) 单晶SiC基片超精密磨粒加工机理研究 潘继生 指导教师姓名、职称： 阎丛生麴握 万方数据 A A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Doctor of Philosophy IIIII III IIIIIIII II IIIIHtllI Y2796005 Research on ultra precisiOn abrasive machining mechanism of monocrystalline SiC substrates PhD．Candidate：Jisheng Pan Supervisor：Prof．Qiusheng Yan July 2015 School of Electromechanical Engineering Guangdong University of Technology Guangzhou，Guangdong，E R．China，5 1 0006 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 以集成电路(IC)和光电子器件制造为代表的微电子和光电子制造是电子信息产 业的核心，也是当今世界竞争最激烈、发展最迅速的产业。半导体材料是集成电路的 基础，半导体技术的创新引领信息产业与光电子产业的发展。单晶SiC作为第三代半 导体材料，具有禁带宽度宽、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力 强以及化学稳定性良好等优点，被广泛用于耐高温、耐高压、抗辐照、大功率和高密 度集成电力电子器件和光电子器件的衬底材料，要求具有超平坦、超光滑、无缺陷和 无损伤表面，加工质量直接决定着其应用价值的高低和器件性能的优劣。但是由于单 晶SiC基片的高硬度和高脆性，采用传统机械加工方法加工效率很低，加上其较强的 化学稳定性，传统CMP方法难以获得理想加工表面，单晶SiC基片的超精密加工理论 尚待完善。 本文首先研究单晶6H．SiC材料的变形行为，然后通过游离磨料的研磨、固着磨料 的端面磨削及半固着磨料的集群磁流变抛光方式对单晶6H．SiC基片进行高效超精密加 工工艺研究，并通过亚表面损伤检测研究材料的去除机理和超光滑表面形成规律，实 现单晶6H．SiC基片的高效率减薄和超光滑抛光加工。论文的主要研究内容和结果如下： 1)采用纳米压痕、纳米划痕和维氏压痕等方式研究单晶6H—SiC材料的变形行为， 结果表明单晶6H—SiC基片的碳面硬度和弹性模量均比硅面略高，硬度值远超过莫氏硬 度9，弹性模量E与硬度H之比小于14，脆性断裂指数较高；单晶6H—SiC(0001)晶 面在磨粒作用下存在弹性变形、塑性变形、塑性去除、塑性／脆性转变和脆性断裂五个 阶段，其转变的近似临界载荷分别为3．5mN、16mN、63mN和385mN。 2)提出了一种能有效反映单晶6H—SiC基片是否存在亚表面损伤微裂纹以及微裂 纹深度，并能准确判断出无亚表面微裂纹损伤表面的快速检测方法。通过该方法观察 了单晶6H—SiC基片加工表面的裂纹特征，分析了研磨、磨削和集群磁流变抛光加工工 艺条件下的亚表面微裂纹分布规律。 3)建立了单晶SiC单面研磨的材料去除模型，并基于KDl5BX精密平面研磨机， 对单晶6H．SiC基片进行了磨料种类、磨料粒径、研磨压力、研磨盘转速、研磨液流量、 磨料浓度、研磨盘材质及磨料分散性等单因素试验，系统地分析了各因素对材料去除 率、工件表面粗糙度和材料去除方式之间的关系，获得了磨料发生出现二体摩擦研磨 万方数据 广东工业大学博士学位论文运动和三体摩擦研磨运动的工艺条件。磨料发生二体摩擦研磨运动时主要以微切削方 广东工业大学博士学位论文 运动和三体摩擦研磨运动的工艺条件。磨料发生二体摩擦研磨运动时主要以微切削方 式去除材料，获得的工件表面光滑有光泽，但存在少量的塑性去除、脆性去除及脆塑 性去除微划痕；而以滚压破碎去除为主的三体摩擦研磨运动获得的工件表面主要为大 量的脆性断裂破碎坑，均匀无光泽。粗研磨阶段，采用铸铁盘及4wt％浓度的W20金 刚石磨料在研磨压力4．408Psi、研磨盘转速80r／min和研磨液流量20ml／min条件下能获 得高于20p,m／min的材料去除率，而精研磨阶段，采用铜盘及W3的金刚石磨料在研磨 压力4．408Psi、研磨盘转速80r／min和研磨液流量15ml／min条件下能获得Ra0．0249m 的均匀无划痕表面。 4)采用#325金属结合剂砂轮和≠≠8000陶瓷结合剂砂轮在DMG一601 1V超精密端面 磨床上对单晶SiC基片进行了平面磨削