单晶银、铝的制备及层错能对冷拔变形组织的影响-材料工程专业论文.pdf.docxVIP

单晶银、铝的制备及层错能对冷拔变形组织的影响-材料工程专业论文.pdf.docx

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单晶银、铝的制备及层错能对冷拔变形组织的影响-材料工程专业论文.pdf

两种材料中均没有晶界,反极图成像也证实了银单晶具有蓝色111织构取向,铝单晶具有绿色1 两种材料中均没有晶界,反极图成像也证实了银单晶具有蓝色111织构取向,铝单晶 具有绿色1 10织构取向。 银线材冷拔变形结果表明,在冷拔变形后,晶粒表现出显著的宏观裂化。随着应变 量的增大,晶粒沿冷拔方向被拉长。在高应量下形成纤维状组织。在冷拔的过程中,随 着应变量的增加,1 ll幂I100织构组分都呈现先增大后减小的变化状态;应变量达到 2。77时,形成较为稳定的100+11 l双丝织构组分,但是织构组分中还存在大量复杂 织构。多晶银的界面失配角分析结果表明,在低应变量下,多晶银以位错滑移为主;中 等应变下,位错滑移与形变孪生机制相互竞争共同控制组织变形;高应变下,变形主要 以孪生为主。TEM结果表明,低应变下,多晶银以平面滑移为主,当应变量为0.28时, 位错呈现“离散”分布,没有观察到位错缠结;中等应变下,多晶银形变组织中出现与 冷拔方向不平行的高密度位错墙和微带。当应变量为O.94时,组织观察到剪切带的出现: 当应变量高于1.96时,形成与冷拔方向平行的GNBs。铝线材形变分析结果表明,在高 应变量下同样形成了稳定的100+111双丝织构组分,复杂织构组分含量较少。 银和铝的冷拔组织对比发现,层错能对两种FCC金属存在显著影响。两种材料高应 变下虽然都产生100+111双丝织构组分,但是银在高应变依然存在大量复杂织构组。 同时,组织演变过程中,变形机制也存在差异。铝的主要变形机制为位错滑移,而银在 低应变下以位错滑移变形为主,高应变下,银主要通过形变孪生协调变形。 强织构铝线材形变温度的相关性研究结果表明:高温(80℃)和液氮温度下冷拔变形 均形成100+1 1 1双丝织构组分,但是,降低形变温度显著提高了11 1织构组分的稳 定性。界面失配角分析结果表明,两种温度下变形均在5。左右形成一个失配角峰,但 是,峰的高度存在显著差异,表明降低形变温度可以促进材料的变形,提高材料中的位 错密度。 关键词:单晶银;单晶铝;层错能;冷拔;变形组织 万方数据 Preparation Preparation of Single Crystal Silver,Aluminumand and the influence on the SFE of Deformation Texture and Microstructure for Cold Drawing Discipline:Materials Engineering student Signature:“厶巧 l 一 Supervisor I Signature:C 胁j t舭 Supervisor II Signature: nj∽3j叭 Abstract Silver is an excellent conductor of electricity and heat,and has good signal transmission and thermal conductivity.As a conductor,aluminum has the charateristics such as cheap price also light weight and excellent conductivity.Bo_th of them are widely used in the preparation of package leads.With the fast development of the semiconductor,integrated circuits and electronic component,the technology of package is more and more important.The materials of package are paid more attentions.However,a number of grain boundaries exit in the polycrystalline silver and aluminum,which will weaken the effect of transmitting signal. Therefore,single crystal silver and aluminum wires have a great advantage in signal transmitting by eliminating the grain boundary and the preparation of single crystal with high quality is paid widely at

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