磁控溅射法制备氧化钒薄膜及其特性研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

兰州大学硕十学位论文摘 兰州大学硕十学位论文 摘 要 本文研究的主要目的是开发空间保护薄膜材料。论文介绍以石英片为基底材料，采用 直湔射频磁控共溅射方法制备了非掺杂、掺舢和掺n的氧化钒薄膜，重点探索了用这 种方法制备非掺杂、掺杂氧化钒薄膜的工艺条件，发展了一种用反应气体和溅射气体的流 量比例来控制薄膜组分的新方法。对所制备的氧化钒薄膜进行了热光性能测试。实验及测 试结果表明，二氧化钒在68。C附近发生相变，相变前后电学、光学性质剧烈变化。在二 氧化钒薄膜中掺入Ti杂质或舢杂质，对薄膜的热光性质改变所起的作用比较明显。掺入 Ti杂质可以减小相变滞豫区间，掺入Al杂质则会明显提高相变温度。磁控共溅射沉积方 法在掺杂薄膜的制备方面显示出良好的灵活性和可控性。 关键词：二氧化钒，磁控共溅射，掺杂，性质 兰州人学硕士学位论文Abstract 兰州人学硕士学位论文 Abstract The purpose of this thesis is to develop the space protection thin film material for the satellite or space craft defense in space．By using magnetron CO-sputtering techniques， vanadium oxide films file deposited on quartz substrates、析m Ti or AI as dopants．The deposition conditions，such as pressure，temperature，carrier gas flow,and sputtering power,are optimized for the preparation of the films．We develop the new method of a l(ind of control thin film composition by using flux of Ar／02．The thermal and optical properties of the films， including the resistance-temperature dependence and the transmittance—wavelength The experimental results indicate that the thermal—Optical and electric properties of the Vanadium dioxide film change dramatically after the phase transition．The property c Ti—doped and A1一doped vanadium oxide film has strong thermal dependence．It is found that if Ti is doped in the vanadium oxide，the phase transition relaxation is narrowed，and if Al is doped，the transition temperature is lifted． Keywords：Vanadium oxide films，magnetron CO·sputtering，Ti／AI doping，properties 原创性声明本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指 原创性声明 本人郑重声明：本人所呈交的学位论文，是在导师的指 导下独立进行研究所取得的成果。学位论文中凡引用他人已 经发表或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。 除文中已经注明引用的内容外，不包含任何其他个人或集体 己经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究成果做出重要 贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明口 本声明的法律责任由本人承担。 期： 娜!亨：兰! 关于学位论文使用授权的声明本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权 关于学位论文使用授权的声明 本人在导师指导下所完成的论文及相关的职务作品，知识产权 归属兰州大学。本人完全了解兰州大学有关保存、使用学位论文的 规定，同意学校保存或向国家有关部门或机构送交论文的纸质版和 电子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权兰州大学可以将本学位 论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用任何复 制手段保存和汇编本学位论文。本人离校后发表、使用学位论文或 与该论文直接相关的学术论文或成果时，第一署名单位仍然为兰州 大学。 保密论文在解密后应遵守此规定。 论文作者签名： 拉