晶体生长基础PPT教学课件Lecture 2 晶体生长方法简介.ppt

各组分比重相差很 大，在地面上难于均匀混合。前苏联在宇宙飞船上以 3毫米/小时的生长速度，从熔体中生长出了有很好的 均匀组分分布的单晶。 * * Me2Cd+TOPO+TOP(Se) T: 200~300oC 1993年MIT的Bawendi利用二甲基Cd和TOPSe在TOPO溶液中，高温化学反应 Hot injection method 里程碑工作 高温化学反应合成量子点 * Photonics Crystal ? A photonics crystal is a dielectric structure with a refractive index that varies periodically in space, with a period of the order of ? 2D 3D 1D 新材料，新技术 新原理， 新材料 * Pseudo band gap and complete band gap * opal based photonic crystals * Inverse opal structure * Wave guide * 纳 米 碳 结 构 金刚石: 3D宽带隙半导体 超硬材料 石墨: 2D层状良导体 软材料 -- S.IiJima NEC 1991 H.W.Kroto et al. 1985 碳管: 1D量子线 金属-半导体-绝缘体 超强、轻、稳定、 导热… … 富勒烯: 0D 量子点 超导体-金属-半导体 * 纳米碳管和富勒烯的应用前景 开关、存储器、电阻、电容、 导线 … … 平版显示(低压场发射电子) 无线通讯(低压场发射微波) 电池材料(存储Li和H离子) 超强材料 化学管道、反应器皿 …… 护肤、美容… ... 纳米机械的器件 ……… * 晶体生长方法 溶液生长技术 熔体生长技术 气相生长技术 固相生长技术 薄膜生长技术 降温法 恒温增发法 温差水热法 循环流动法 凝胶法 提拉法 下降法 焰熔法 导模法 冷坩锅法 助熔剂法 水平区熔法 浮区法 基座法 真空蒸发镀膜法 升华法 气相外延生长法 化学气相沉积 高压法 再结晶法 真空蒸发法 分子束外延法 溅射法 离子束外延法 液相外延法 离子注入法 LB膜 * * * * * * * * * * * Crystal dimensions have reached 10 cm for InP, LiTa03, sapphire and other oxide crystals, 15 cm for LiNbO3 and GaAs, and 30 to 40 cm for silicon and for halide scintillator crystals with melt dimensions up to 1m. 氧化物界面不稳定， 螺旋生长。 * Growth techniques since then have been steadily improving for achieving a greater degree of crystal perfection and larger ingot sizes. Dash (2) was the first to introduce a technique for the growth of dislocationfree silicon ingots. Silicon ingots perhaps exhibit the best crystal perfection among all man-made crystalline materials. The size of the crystal diameter has been steadily increased from 1 in 1950s to 10 (in the laboratory) today. The rate of increase in crystal diameter perhaps will be slowing down in the future. This is not because of limitations in the technique of large diameter growth, but of wafer processing capabilities such as slicing. The mechanical strength of wafers also