基于MEMS工艺太赫兹倍频器研究-电路与系统专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘要 近年来，太赫兹技术的高速发展带来了太赫兹产业的繁荣，其中因为太赫兹 倍频器是太赫兹频率源获得的一个最重要途径，所以，太赫兹倍频器的研究对太 赫兹技术的发展具有十分重要的意义。 本文介绍了太赫兹波的特点、倍频器的国内外发展动态及倍频器的基本理论 和分析方法；介绍了一种新型的加工工艺——MEMS 工艺，该工艺的精度优于传 统工艺，在实现高频器件上具有独特的优势。 本文从倍频器的工作原理出发，采用 ADS 和 HFSS 仿真软件，分别仿真设计 了 K 波段二倍频器、W 波段二倍频器和 290GHz 的二倍频器。 本文采用 ATF36163 晶体管对 K 波段二倍频器进行了设计，其结构由匹配电 路、直流偏置与滤波电路组成。通过 ADS 仿真，得到的该倍频器二次谐波的输出 功率为 3.15dBm；采用传统的加工工艺对其进行了加工，通过实测，其二次谐波 的输出功率达到了 1.06dBm。 本文采用肖特基二极管对 W 波段二倍频器进行了设计，该倍频器的结构主要 由波导腔体和石英基片屏蔽微带线组成。同时，波导微带探针、偏置电路、滤波 器、匹配电路分别安置在该微带线相应位置。用 ADS 和 HFSS 仿真软件对该倍频 器进行联合仿真，得到的二次谐波输出功率为 1.402dBm。 在 W 波段倍频器设计的基础上，本文设计了 290GHz 太赫兹频段二倍频器， 其结构与 W 波段二倍频器相似。采用 ADS 和 HFSS 对其进行了联合仿真，该倍频 器的二次谐波输出功率达到了 7.889dBm。 本文通过对不同频段倍频器的仿真设计或加工测试，验证了本文倍频器研究 方案的合理性，理论分析的正确性。 关键词：太赫兹，二倍频，宽带，MEMS，屏蔽微带线 A ABSTRACT II II ABSTRACT In recent years, the rapid development of THz technology led to the prosperity of THz industry, which THz frequency multiplier is a major way to get the THz frequency source, and therefore the research and development of THz frequency multiplier have important significances. The paper introduces the characteristics of THz and the development at home and abord of the multiplier, the basic theory of the multiplier, analysis methods of the multiplier. Also introduces a new process -MEMS technology, its precision is higher than the traditional process. So the technology has a unique advantage in the high-frequency device. Based on the theory of multiplier, this paper uses simulation software ADS and HFSS to simulation and designe K-band frequency doubler, W-band frequency doubler and a frequency doubler of 290GHz. The K-band frequency doubler uses transistor ATF36163 for designing. The multiplier structure mainly composites by the matching circuit, bias circuit and the filter circuit. After the ADS simulation, we obtaine the second harmonic output power is 3.15dBm. Using the traditional process be processed the test, in fact, the measured value of the multiplier is 1.06dBm. After the measured values compared with