基于半导体异质结thz激光器的辐射机理研究-无线电物理专业论文.docxVIP

摘要能带结果表明在单量子阱结构中是无法产生THz辐射的。因为所有已知半导体的禁带能量 摘要 能带结果表明在单量子阱结构中是无法产生THz辐射的。因为所有已知半导体的禁带能量 量级都在leV附近，已经远远超山了THz电磁波的能量范围(o．41～41meV)。利用在量子 阱中得到的能带结构，我们计算了si量子阱介电常数的虚部，因为介电常数的虚部决定了 晶体大多数的光学性能。在计算中我们发现随着量子阱厚度的减少，介电常数出现了明显的 分立峰，说明量子阱中出现了尺寸效应。 最有可能实现Tl-Iz领域研究目标的结构是半导体异质结。利用一维有限品格的结果， 我们研究了一维非对称量子阱结构中量子态的解析解。解析解中非对称量子阱的波矢由两边 量子阱的晶格常数共同决定。量子态的波函数呈现出类似驻波的特性：在系统边界以及晶体 的交界处均为零。系统薛定谔方程的本征值由两边量子阱的能带以及归一化系数决定。由于 量子耦台作用，非对称量子阱中晶体能带将分裂成更细的子能带。在计算中我们发现，由禁 带能量都在leV以上的材料组成的非对称量子阱，子能带2问的能量差在10meV的量级。 因此纳米结构量子态的解析解为判研THz纳米器件提供了理论依据。 前面所研究的量子态都是在全束缚条件下的，在实际应用中更能代表实际情况的模型是 一维非全束缚有限晶格。在一维有限品格全束缚量子态解析解的基础上，我们得到了一维非 全束缚量子态的解析解。这些解析解表明，晶格边界势垒对晶格中量子态有很大的影响。当 晶格中电子的能量远小于边界势垒时，电子的行为必须用全束缚量子态的模型来求解；当电 子能量接近或大于系统边界势垒时，电子行为将接近于自由电子，此时采用有效质量模型也 可取得较好的结果。 关键词：THz技术，解析解，能带结构，有限晶格，介电常数，非对称量子阱，非全束 缚量子态 Ⅱ AbstraetTHz Abstraet THz 1asers radiation mechanism research based on semiconductor heterostructure Maj or：Rdiophysics Name：He Shan Supervisor：Prof．Qin Jiayin Abstract In the recent 10 years most work in THz field is dedicated to realize miniaturized THz devices which provide enough power and work at room temperature?The best way to reach this target is to make ofthe unique electronic and optical properties ofnano-structures．Today quantum cascade lasers，asymmetric coupled quantum well and Bloch oscillations the devices which can emit THz wave．However,all these devices must work at very low temperature，and they only provide few pw output power．People has brought forward many methods to overcome these difficulties．Among them the simplest method is to fred out the exact quantum states of nano-devices．It is easy to that the best way to fmd out the quantum states of llano‘structures is to get the analytical solution of system’s schrodinger equation．However, because of the lack of translational invariance，a systemic method which can be applied in all nano-structure is still lacking up to now． In work,we first study the basic dimensional finite crystal lattice(ODFCL)． Using the Bloch function ofinfinite crystal