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愈属和半粤体纳米袍子的制 4,褒征及性能 中文摘要
金属和半导体纳米粒子的制备、表征及性能 中文摘要
〈川、合成了 3.5G、4.5GPAMAM 树状大分子:用微波法还原 HAuC4溶液制 备出 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM) 保护的金纳米粒子.考察了当 3.5 GPAMAM (4.5 G PAMAM) 与日Au口4 物质的是的比一定时,微波照射不同时间对金纳米粉子 大小及形状的影响;以及在同一照射条件下, 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM) 与 HAuα4 不同物质的量的比值对金纳米粒子大小及形状的影响.利用紫外可见分光光 度计、透射电子显微镜和 X 射线衍射仪对其进行了表征。结果表明,当 3.5 GPAMAM (4.5 GPAMAM) 与 HAuC4 物质的寰的比像一定时,金纳米粒子的形状和大小受微 波照射时间长短的影响不大:适当延长照射时间,制得的金纳米粒子的单分散性较好. 在相同照射条件下,随着 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM) 与日AuC4物质的量比值 的减小,得到的金纳米粒子粒径逐渐变大,且单分散性变差.
(2)、以PVP为保护剂制备了银纳米粒子,以预先制备的 Pd纳米粒子为核,利 用在钝粒子表丽吸氯还原法按制粒径,通过十五次反应,得到了平均禀径从 1.49 DDl 到23.26 DDl不同大小的时纳米粉子.利用在银纳米粒子表面吸附氮得还原钝放的方 法,在相当大的范阁内授制了铠纳米粒子的大小合成,所得饱粒子的粮径比同样方法
对铅纳米梳子进行控制合成时所得到的铀纳米粒子的粒径要大得多,粒子粒径增加的 步长是锦纳米辈盘子的数倍,这反应了锐的超强吸氮能力.
〈幻、合成了以 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM) 树状大分子保护的CdS纳米
粒子。得以合成的CdS纳米粒子为核,用微波法还原 HAu臼4 使其形成 CdS/Au 纳米 复合物.采用紫外刷可见吸收光谱、避射电子显微镜和荧光光谱法对其进行袋征.结 果表明,随着保护剂 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM) 与 CdS 物质的量比的减少,得 到的 CdS 纳米粮予的粒径逐渐变大,荧光渐强:虱 成的 CdS/Au 纳米复食物随着 CdS 与 Au 物质的最比的减少,得到的 CdSlAu 纳米复合物的粒径逐渐变大,荧光渐 弱.
(4)、合成了核·壳型Au@ 民双金属纳米粒子.采用TWkevích法利用拧橡酸二三纳
E
E
金属和半导体纳米梭子的制备.表征伎能 中文摘要
还原氯金酸得到粒役大约为 13.9nm的金揭穿胶.然后,用PVP代替拧橡酸粮,再加入草 酸为保护剂用Hz还原H2PtC1(;1如j得Au@ 民双金属纳米粒子.利用紫外可见分光光度计、 透射电子显微镜和 X射线衍射仪对其进行了表征。结果表明,通过优化反应条件,可以 孩得核在裂双金属纳米粒子:在该反应体系中,以 PVP取代拧橡酸根作保护剂以及 远景尊酸的加入是形成核,先裂金锁双余属纳米粒子的关键因素。
关键词s 金纳米粒子,组纳米粒子,微波法, 3.5 GPAMAM,4.5GPAMAM ,CdS
纳米粒子, CdS/Au纳米复合物, Au@民双金属纳米粒子
作者g 乔燕 指导老师s 杜玉拍
余腐和半导体纳米粒子的制备.我征及性能 英文摘要
Preparation ,Characterization and Properties of Metal and Semiconductor Nanoparticles
Abstract
例.3.5 G PAMAM and 4.5 G PAMAM were 加tly s)J曲创iz创 and were used as sωIbillzing agen邸, Au nanop笛ticles have be棚伊epar睡d by reducing HAuC4 with microwave irradiation method. 1be influence of microwave irradiation time at 伽 same
ratio of 3.5 G PAMAM (4.5 G PAMAM)ωHAuC4 and the different ratios of 3.5 G PAMAM (4.5 GPAMAM) ωHAuC4 for the same 如百diation time on Au nanoparticles
剑ze and shape has been sωdied.
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