金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究-凝聚态物理专业论文.docxVIP

金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究 金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究 中文摘要 摘 要 光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时 代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工艺兼容性考 虑，用硅基材料作为发光器件将是最佳的选择，而其获得应用的关键是提高发光 效率。我们利用双离子束共溅射和射频磁控共溅射技术制备了～系列含有半导体 Si、Ge颗粒及金属颗粒Al的薄膜，即si—SiO。薄膜、Ge—SiO：薄膜和A1一Si—SiO。 薄膜，分别对它们的结构、光吸收以及发光性质进行了研究。 一． 利用双离子束溅射沉积技术，通过共溅射方法制备了Si—Si02薄膜， 研究了沉积时间、工作气压P小基片温度等对沉积速率的影响。用TEM和XRD 分析了样品的结构。当温度较低时(沉积时的基片温度Ts450。C，后处理退火 温度Tm800。C)时，制备的样品均为非晶结构，当温度较高时(Ts≥450 ℃，Ta≥800。C)薄膜样品中才出现Si的结晶颗粒。利用射频磁控溅射技术制备 了Ge—Si02样品，当退火温度Ta600 6C时，样品无明显晶态衍射峰；随着退火温 度从600C升高至800C、1000’C时，样品中开始有晶粒出现，样品中Ge纳米 晶粒平均尺寸从3．9nm增大到4．7nm、6，lnm。XPS结果表明：经低温退火的薄 膜中含有较多的Ge02和较少的Ge、Ge203与GeO，提高退火温度，样品中Ge02、 Ge203减少而单质Ge增加，而GeO含量和SiO含量，则为先增加后急剧减少。 利用双离子束共溅射法所制备的A卜Si—Si0：薄膜样品中，掺入的A1和si主要是 以单质A1和SiO。的形式存在。 二．光吸收特性研究表明，因量子限域效应，对于Ge—SiO。薄膜观察到较强 的光吸收和光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象。对于Si．Si02薄膜和 A1-Si—Si02复合薄膜，其吸收边与块状Si晶体的吸收边相比也发生了不同程度的 蓝移，蓝移量与样品制备参量有关。通过与Ge—SiO：薄膜的吸收曲线及光学带隙 的对比，可估计其能隙在1．5-2．8eV之间，这可能是由于样品内存在大量的缺陷 金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究 金属和半导体颗粒复合硅基薄膜的结构及发光特性的研究 [}J文摘要 或杂质，以及极少量的Si颗粒团蔟，而它们的载流子受到限域效应的作用，从 而造成了样品能隙的展宽和吸收边的蓝移。 三．根据PL谱，分析了Si．Si02薄膜样品的室温光致发光现象，样品有 ．320nm，～410nm，～560nm和～630rim四个PL峰，它们的PL峰是相互分离的。 样品的320nm和410nm的PL发光峰来源于材料中的中性氧空位缺陷：560nm 的光来自于Si．Si02膜中大量SiOx(x2)相的存在所产生的大量缺陷；630nm的 发光可能与样品中的NBOHC(非桥氧空位缺陷)有关，作为一个富氧的缺陷中 心它必定是弱而不稳定的。 对于Ge—Si02薄膜在室温下能观测到394nm的紫光发射，经退火处理后能 观测到580nm的黄光发射。测试分析表明，紫光由GeO缺陷引起，黄光和Ge 纳米晶粒的出现相联系，可能来源于Ge纳米晶粒与Si02基质界面处的缺陷， Ge—SiO：薄膜样品的PL峰位只与发光中心相关。 通过研究发现，Al-Si—Si02薄膜存在三个相互分立的发光中心，分别位于 370nm，410nto，510nm。这三个PL峰中除410nm与Si．Si02薄膜的PL峰相同 外，又多出了370nto和510nm两个PL峰，并且510nm峰是主要的发光峰。PLE 结果表明，370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关，而510nm的 PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致，是Al、Si、O共同而复 杂的作用结果。 四，用不同的方法制备的Si—Si0。薄膜、Ge—SiO。薄膜和A卜Si—SiO：薄膜，在较 低的电压下均观察到了室温可见电致发光现象，峰位都在510nm左右，其峰位不 因薄膜样品内所含颗粒的种类、薄膜的制备方法、偏压及后处理的影响，表明电 致发光主要来源于电子和空穴在SiO，基质中的发光中心的辐射复合发光。讨论了 光致发光和电致发光存在差异的原因。实验发现，当薄膜中掺入金属颗粒铝时， 薄膜的发光效率得以提高，并且随着铝含量的增加，薄膜的发光效率亦相应增强。 表明A1的掺入尽管未改变发光中心的结构但却有助于改善薄膜的导电状态，增加 了发光中心，从而提高了薄膜的发光效率。 II 金属和半导体颗粒复台硅基薄膜的结