《胆声奇异现象探源》商榷.docVIP

《胆声奇异现象探源》商榷 读了去年 11 期孙亦玲先生的《胆声奇异现象探源》一 文后，感到很困惑。因为文中的观点，和笔者多年来从事电 子线路设计所形成的一些基本概念大相庭径，所以提出自己 的看法和《胆声》一文作者商榷。 一、电子管的线性比晶体管好吗？ 既然作者谈的是非线性失真，我想简单的把这三种器件 的情况介绍一下。由于电子管和晶体管的种类繁多，而且电 子管一般是工作在高电压小电流状态，晶体管一般是工作在 低电压大电流状态。失真又和使用曲线的范围有关，屏极供 电为 300V 的电子管，输出 5VP-P 值时的失真，肯定比集电 极供电为 6V 的晶体管输出同样幅度时的失真小。所以相互 比较一定要在完全相同的外部环境下才有意义。另外失真也 和器件的工作点有关，下面是在甲类状态下，分析增益随器 件工作电流的变化情况。 1、电子管的失真 电子管的确存在定律，它是在二极电子管中由泊松方程 推出的屏流和屏压之间的关系，实际曲线基本上符合它；三 极管当栅压作为参变量固定时，则屏流和屏压之间的关系也 大致符合它。 三极管的输出电压 Vo 和输入电压 Vi 之间的比值为增益 A： A= －Ra× μ/Ri 其中 μ 为电子管的放大系数， Ra 为屏极负载电阻， Ri 为电子管的内阻， μ/Ri 就是电子管的跨导 S 。Ra 为定值， 所以 S 随屏流 Ia 的变化就决定了放大器的线性。 S 的线性是 由控制栅产生的电场的均匀程度而定的 ,而阴极表面氧化层 的平整度、控制栅栅丝的直径及绕法、栅丝和阴极之间的距 离等因素都影响电场的均匀程度。 我们常用的都是栅压为负的左特性管。从栅压为零屏流 最大， 到较负使屏流接近截止的过程中， S 一般是由大到小。 五极管的增益计算以及跨导 S 的变化规律与三极管相似。 我们如果在管子的屏压 Ua―屏流 Ia 曲线图上作负载线 可以看出，输入正半周时进入大屏流、低屏压区；而输入负 半周时进入小屏流高屏压区。而以栅压为参变量的曲线簇之 间的距离随着屏流的提高，有逐渐增加的趋势。所以输入正 半周时的 S 较大，负半周则相反，即正负半周的 S 值不同。 我们在设计时，都是把工作点置于线性区的中点。 这样在 Vi 较小时，S 值变化不大， Vo 和 Vi 之间的关系基本是线性的。 Vi 较大时会出现 Vo 正负半周幅度不同、宽窄（肥瘦）不同 的情况； Vi 过大时，会使 Vo 的正负半周都出现削波而幅度 不再增加。试想不同的电子管，其结构不同，曲线的线性好 坏差别很大，失真情况怎么可能一样？ RCA 的 6336A 和 WE-300B 都是三极管，屏耗是 30～40W，WE-300B 推挽不 加任何负反馈，输出 25W 时 THD 为 1％，6336A 行吗？还 有五极管呢，FU50 的屏耗亦是 40W，它的失真情况也和 300B 一样吗？ 2、双极晶体管的失真 说双极晶体管的输出―输入是指数关系，这还是第一次 听说。作者说的大概是双极晶体管的基极输入电流 Ib，随基 极输入电压 Ub 变化曲线在起始部位的关系吧？这关系倒有 点接近指数关系。同上， Vo 和 Vi 之间的比值为双极晶体管 的增益 A： A= －βRc/（Rs＋hi） 其中 β 为晶体管的电流放大倍数， Rc 为集电极负载电 阻，Rs 为信号源内阻， hi 为基极输入阻抗。 当集电极电流 IC 从 0 开始增加时， β 增加而 hi 随之变 小，A 随之增加。而 IC 增加到一定值时， β和 hi 的变化就 会减小而进入线性区。在线性区内 β和 hi 的变化都不大， A 基本保持不变。当 IC 增加到一定值时， β 开始下降（国产 晶体管的最大集电极电流，一般是定义在 β下降到最大值的 绞钡闹担 ???i 并不同步下降， 所以 A 开始减少。 因此 A 随集 电极电流 IC（而不是 Vi ） 的变化规律是： IC 小 ――快速 上升、 IC 中等――近似不变、 IC 大――下降。和电子管类 似，在一定的信号范围内， Vo 和 Vi 之间的关系基本是线性 的；Vi 过大若进入 β 下降区时，对应其正半周 A 开始下降， 即此时集电极输出的负半周幅度会减小； 再大 Vo 就削波了。 这怎么会是指数关系呢？ 3、 场效应管的失真 目前常用的功率场效应管一般是 VMOS 增强型的。 即对 于 N 型管而言， 其栅极需要加入 2―4V 正偏压才能工作。 由 于其输出特性曲线和五极电子管相同为饱和型的；而输入阻 抗也是高阻的，是电压放大器件。所以其增益 A 为： A=gm × RD 其中 gm 为 VMOS 管的跨导、RD 为 VMOS 管的漏极负 载电阻。 gm 的变化规律为当漏极电流较小时，它快速随其 上升；从漏极电流达到某值起直到其最大额定值， gm 是基 本