含EDOTBT单元低能隙有机半导体材料的合成及应用-高分子化学与物理专业论文.docxVIP

常州大学学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文是本人在导师指导下独立进行的 研究工作及取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不 含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做 出重要贡献的个人和集体，均已在论文中以明确方式标明。本人已完全 意识到本声明的法律结果由本人承担。 作者签名： 签字日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权的说明 本学位论文作者完全了解常州大学有关保留、使用学位论文的规 定，即：研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属常州大学。 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许 论文被查阅和借阅。学校可以公布学位论文的全部或部分内容，可以采 用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。 保密论文注释：本学位论文属于保密范围，在年解密后适用本授权 书。非保密论文注释：本学位论文不属于保密范围，适用本授权书。 学位论文作者签名： 签字日期： 年 月 日 导师签名： 签字日期： 年 月 日 术 语 表 缩写 英文名称 中文名称 EDOT 3,4-Ethylenedioxythiophene 3,4-乙撑二氧噻吩 BT 4,7-Dibromo-2,1,3-Benzzothiadiazole 4,7-二溴-2,1,3 苯并噻二唑 F6 2,7-dibromo-9,9-dihexylfluorene 2,7-二溴-9,9-二己基芴 NBS N-Bromosuccinimide N-溴代琥珀酰亚胺 EDOTBT EDOTBTF6 PEDOTBTF6 PCBM  4,7-di(3,4-Ethylenedioxythiophene)-2, 1,3-benzothiadiazole 4,7-di(3,4-ethylenedioxy- thiophene)-2,1,3-benzothiadiazole-9,9- dihexylfluorene Poly[4,7-di(3,4-ethylenedioxy- thiophene)-2,1,3-benzothiadiazole-9,9- dihexylfluorene] TBTTTetrabutyl titanate钛酸四丁酯DMFN,N-Dimethylformamid TBTT Tetrabutyl titanate 钛酸四丁酯 DMF N,N-Dimethylformamide N,N-二甲基甲酰胺 CHCl3 DSSCs Chloroform Dye-sensitized solar cells 氯仿 染料敏化太阳能电池 4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯 并噻二唑 4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯 并噻二唑-9,9-二己基芴 4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯 并噻二唑-9,9-二己基芴共聚 物 富勒烯衍生物 1H-NMR Proton nuclear magnetic resonance HYPERLINK 96/infodetail.asp?id=58 核磁共振波谱仪（氢谱） Ultraviolet-visible UV spectrophotometry  HYPERLINK 26/Site/Equipment_detail.aspx?id=7912amp;CID=89 紫外可见分光光度计 TGA Thermogravimetric analyzer 热重分析仪 GC Gas chromatograph 气相色谱仪 CV Cyclic Voltammetry 循环伏安法 PL Photoluminescence 荧光光谱 AFM Atomic Force Microscope 原子力显微镜 中 文 摘 要 低能隙有机半导体材料具有较宽的吸收，因而在太阳能电池中 具有广泛的应用前景。对于低能隙有机半导体的设计最有前景的方 法是在主链上引入供电子单元(Donor)和受电子单元(Acceptor)形成 D-A 型结构。本论文主要工作集中在含 EDOTBT 单元的低能隙有机 半导体材料的合成及应用。具体工作如下： (1):采用 Heck 反应成功制备了以 3,4-乙撑二氧基噻吩（EDOT） 为供电子单元，4,7-二溴-2,1,3 苯并噻二唑（BT）为吸电子单元 D-A 型共轭单体，4,7-二(3,4-乙撑二氧噻吩)-苯并噻二唑（EDOTBT）， 对其结构进行了表征。 (2): 采用 Heck 反 应 制 备 了 小 分 子 低 能 隙 半 导 体 材 料 EDOTBT-F6-EDOTBT。通过核磁共振氢谱法、紫外可见光光谱法、 荧光发射光谱法，对半导体 EDOTBT 和 EDOTBT-F6-EDOTBT 的结 构和性能进行了研究。结果表明：成功合成了两种有机半导体 EDOTBT 和