贵金属和半导体纳米材料的化学合成研究-无机化学专业论文.docxVIP

十口率}掌n$^掌*±掌t*R擅l摘要 十口率}掌n$^掌*±掌t*R擅l 摘要 本论文旨在完善和发展贵会属和半导体纳米材料化学合成的新方法。在大量 的文献调研基础之上，作者创造性地提出了几种纳米材料合成新的路线：如氮化 铟的低温原位苯热转化合成法，瑞尼镍模板法合成贵：{；；=属和硫族化合物树枝晶 等。与此同时，作者还在低温水热条件下成功合成了CuInS2纳米棒，并将溶剂 热路线推广到四元cuIn(s气sl。)2固溶体纳米晶的合成。主要内容具体归纳如下： 1．在总结前人的工作基础之上，导师谢毅教授成功地将溶液方法进一步推 广到GaN的合成，在苯热体系r}，通过GaCl3和Li3N的反应于280℃条件下成功 地制备了GaN纳米晶。不过遗憾的是，却没能将这一方法通过类似的lnCb和 Li3N反应制得InN纳米晶，这一结果也得到了别的研究小组的证实。正是这不 同的结果促使作者对这一反应本质进行分析，认为之所以生成单质铟和～价卤化 物而没有InN的形成，其主要的原因是由于三价卤化物具有较强的氧化性，遇到 了强还原剂则被还原而没有发生双交换反应，而对于Ga卤化物来说，氧化还原 反应就不那么明显，则会发生双交换反应形成GaN。正是在这一分析基础上， 作者提出了原位苯热转化合成法来制备纳米InN。本法的独特之处在于通过选择 了两种新颖的反应源NaNH2和In2s3并通过它们之问简单的化学反应在苯热体系 中直接制备出了IrlN纳米晶，基本上达到了我们合成m—V族半导体材料的要求： 选用简单、廉价、易得的反应原料，反应步骤少，并且避免了有毒的气体，无需 后处理等优点。 2．在总结模板法的共性基础之上，作者大胆地首次应用一种多孔材料—— 瑞尼镍作模板成功地合成了贵金属Pd、Ag以及硫族化合物A92s、A92se等树枝 晶，其中瑞尼镍在整个过程中既作模板又作还原剂。本路线具有模板易得，反应 条件极其温和，模板也极易去除等显著的优点，得到了《Adv锄cedMaterials》审 稿人的高度评价，认为这个想法非常新颖，同时几乎是以原稿的形式在《AdvaJlced Materials》上发表。 3．将液态铟作为反应物在水热条件下成功地制备了CuInS2纳米棒，其生长 机理类似于华盛顿大学Bllllro教授提出的sLs机理。将溶剂热路线推广到四元 cuIn(s％sl。)2固溶体纳米晶的合成，研究了不同溶剂条件对固溶体形成的影响， 发现乙二胺为该反应的最优溶剂，并对固溶体的形成机理进行了探讨。 巾髯料掌执术太掌博常掌位论文 巾髯料掌执术太掌博常掌位论文 ABSTRACT A鼗S量RACT T№pal of氆is disse挂壤{on is to exple∞8瓣st诞y novel synl蠡嚣tle蝴氆ods醒 n赫。s髭le m8te}i8王s。f胎ble met拽ls期d sem{cond黼静璐a旺撒8ke妇m pe蕊文．。斡 the b豁主s of氇o∞u酶∞V{阜w ofl氇}ge锄。搬ls。f羚凫fenees，we h耩ve sHccess＆ily put 凡瑚a堪seVer毪}noVel m鞋tes to{be prep锺精tion of n鑫nosc鑫|e ma撇{als．For example， if卜si谯l ＆nzene—theml毳l eon、博rsion route to nanoscale indium nitride at low lem删砒es and novei tempiating route to dendrites of noble metals a11d ch翻co辨nides(Ralley nickei as the template)have been deveIoped in our research work．At me same time，the authors have also obt赫挑d Cnln82 n艄。姻ds v渔 hy出O纨ermal me如od at low te_嗤lpe麟eu聪s and exten如d solv。蜘e糟滋p8搬辨y沁 遥挑芏e臻fy so撒ieo轴duetor Cuk(Se，Sl州k糍啦oc球s毒砖li奎es．鼹le‘l搴酶至ls a辩sm羚m敬i鹬d 8s受llo磷s： ， i．转ased on铂e preVious researches，professor Yi Xie h黼success勉lly extended solution pathway t。prepare nanocrystalline GaN vi鑫the be矬zen扣伽efm磁roH{e llsing