激光清洗硅片表面颗粒沾污的试验研究-机械制造及其自动化专业论文.docxVIP

大连理工大学硕士学位论文摘 大连理工大学硕士学位论文 摘 要 随着超大规模集成电路的发展，硅片尺寸将不断增大，刻线宽度从亚微米向纳米级 发展。基体表面的亚微米级污物足以导致芯片的缺陷产生，因此对半导体硅片表面质量 的要求也越来越严格。传统的清洗方法，如RCA清洗、机械刷片清洗、超声波清洗等， 或者不能有效的去除微米亚微米级颗粒，或者即使能够去除，但会对基体表面造成一定 程度的损伤，同时，大量有毒化学试剂的使用也会对环境造成危害。激光清洗是一种新 型的非接触式清洗技术，它具有清洗效率高、可灵活选择清洗区域、无环境污染等优点， 在清洗阈值和损伤阈值之间的能量密度范围内，即可满足表面洁净技术的要求，又不破 坏硅片表面的原始形貌，是一种非常具有发展潜力及实用价值的清洗技术。 本文通过分析颗粒与基体表面的粘附力形式，建立了激光干法清洗硅片表面颗粒沾 污的凡何模型，并建立热传导模型，利用有限元分析软件MSC：MarC模拟硅片表面的温 度场分布，通过理论计算，量化了颗粒所受到的清洗力以及其与硅片表面之间的粘附力， 预测出l#mAl203和l#mCe02颗粒的理论激光清洗阈值分别为60mJ／cm2和50mJ／cm2， 而0．5pmAl203颗粒的清洗阈值已大于150mJ／cm2 在理论分析的指导下，署q用1064nm、0。5ms的Nd：YAG激光和248nm、30ns的KrF 准分子激光进行单因素试验，研究了激光脉宽、能量密度、脉冲个数、激光束入射角度 对激光干法清洗结果的影响，验证了清洗机理，得出了KrF准分子激光干法清洗硅片表 面珈mAl。03颗粒的实际清洗阈值和损伤阈值分别为30～40mJ／cm2和320mJ／cm2， 0．取mAl：0。颗粒的清洗和损伤阂值分别为30～40mJ／cm2、300mJ／cm2，1／ⅪmCeO：颗粒的清 洗阈值为10～20mJ／cra2，而损伤却几乎出现在整个清洗过程。 利用光学显微镜和3D表面形貌仪检测了清洗前后的硅片表面形貌，研究了表面损 伤原因，进一步验证了激光干法清洗机理，并发现硅片表面亚损伤状态的存在，虽然表 面形貌没有出现明显破坏，但硅片表面粗糙度已经增加。 通过对清洗前后硅片表面光学显徼镜照片的分析，利用MATLAB软件图像处理功能， 编写了硅片表面激光干法清洗结果的评价程序，用以统计清洗前后硅片表面所选区域的 颗粒个数，从而确定激光清洗效率。 本文针对以上内容，在激光清洗机理、参数选择以及结果检测方面进行了系统的研 究，论文工作将对这一技术向实用的推广起到积极的作用。 关键词：激光清洗；硅片；颗粒沾污；清洗效率 司马媛：激光清洗硅片表面颗粒沾污的试验研究Experimental 司马媛：激光清洗硅片表面颗粒沾污的试验研究 Experimental study on laser cleaning of particle contaminants from silicon wafer surface Abstract As current ULSI technology advances toward higher densities and smaller circuit dimensions，contamination control becomes olle of the most critical problems in industry， submicron—sized contaminants adhering to the surface can cause a substantial number of defects，with a serious impact on the manufacturing yield．Traditional cleaning method，such as RCA cleaning,mechanical wiping and scrubbing，ultrasonic cleaning，are not adequate for removal of submicron—sized particle contaminants；moreover，they are prone to damaging the silicon wafer surface because they rely on mechanical contact forces and chemical reaction． Laser cleaning is a novel non—contact cleaning method，which is characterized by powerful removing force，high flexibility and environment-f