聚焦离子束FocusedIonBeamFIB.PPT

* * (Liquid Metal Ion Source,LMIS)大范围空间产生离子 * 形成很小的离子束斑，可达到5nm * 在成像方面，聚焦离子束显微镜和扫描电子显微镜的原理比较相近，其中离子束显微镜的试片表面受镓离子扫描撞击而激发出的二次电子和二次离子是影像的来源，影像的分辨率决定于离子束的大小、带电离子的加速电压、二次离子讯号的强度、试片接地的状况、与仪器抗振动和磁场的状况，目前商用机型的影像分辨率最高已达 4nm，虽然其分辨率不及扫描式电子显微镜和穿透式电子显微镜，但是对于定点结构的分析，它没有试片制备的问题，在工作时间上较为经济。 * 离子束到达样品表面的束斑直径可达7nm，高能离子束轰击样品所产生二次电子和二次离子，可分别用于，配备了气体增强刻蚀和薄膜沉积的辅助气体喷头 * 利用高能离子束与固体样品相互作用的激励和产生的效应，FIB技术的基本功能可以归纳为：刻蚀或增强刻蚀，沉积导电膜或绝缘膜，SIM成像，离子注入 * * 四乙氧基硅烷 ，TEOS，，二氧化硅和乙醇 * 离子束在集成电路工业中主要用于光学掩模的修补和集成电路芯片的修复。利用聚焦离子束溅射能力可将多余的烙斑去掉，在离子束扫描过程中同时通入某种化学气体，则可把碳或钨沉积到透光斑缺陷上。 用离子束还可切断芯片上的某一组连线或接通某一组连线，从而可在芯片上纠正设计错误，提高芯片利用率。 * 以镓（Ga）作为离子源，对基材进行特定图案的加工，并结合场发射式电子显微镜来进行即时监控；除了以高能离子进行直接蚀刻的功能外，辅以气体辅助蚀刻系统的帮助，可以提高蚀刻的选择比例提升蚀刻速率，并可直接进行金属沉积，目前已有的辅助蚀刻气体为 SCM、IEE，而辅助沉积的气体有铂（Pt） 与二氧化硅（TEOS） * 离子束直接进行蚀刻，基材可以为硅、二氧化硅与金属等。 可在硅基材表面蚀刻30nm之沟槽。 * 应用实例1：???? 利用高能离子束进行探针的制作或对AFM的探针进行后处理，制作或处理的方式包括离子束直接蚀刻刻或铂金属气体辅助沉积，此两种方式均可以得到直径约20纳米左右之高深宽比探针头。 * 利用高能离子束与气体辅助沉积系统进行3D立体结构制作。　 * 調整離子束聚焦時的欠焦值及像差值，可以在不需要光罩、光阻劑及化學蝕刻下，直接製作圖案定義很好的矽奈米島嶼陣列 我們利用如圖一(a)中的六角形蜂窩狀陣列當作發展此新的聚焦式離子束蝕刻方法的圖案範例，如果是使用一個具有最好的聚焦及沒有任何像差的離子束，得到的矽表面結構將如圖一(b)所示，即完全複製所使用蜂窩狀陣列圖案範例。然而當我們開始使用一個具有欠焦值及像差值的離子束時，表面蜂窩狀陣列圖案將完全不見，取而代之是出現在蜂窩狀陣列一個邊上的魚鰭狀奈米島嶼陣列，如圖一(c)。實際上，奈米島嶼陣列的形狀會隨著離子束的欠焦值及像差值的改變而改變。最後一個較大欠焦值及像差值的離子束會導致圓形的尖錐狀奈米島嶼陣列，如圖一(d)所示，個別島嶼的直徑約為150奈米、並且具有小於50奈米的尖端， 如圖一(e)。使用此一新的直接撰寫式聚焦式離子束蝕刻方法，不需要光罩製程可以製作半導體量子點陣列，具有正確定位及有效率的快速製作。 * 利用聚焦式離子束蝕刻在蝕刻氮化鎵材料時，一個新穎的自我遮照的物理現象。利用此現象，可以製作大面積高深寬比的氮化鎵/氮化銦鎵多層量子井奈米柱陣列。這些新的方法可以應用於大面積奈比元件的製作。 當此相同的方法即利用一個具欠焦值及像差值的離子束，於一個包含氮化銦鎵多層量子井結構的氮化鎵發光二極體元件時，產生了不同於前面奈米島嶼陣列的結果，如圖2(a)所示，在這個區域中形成了相當高的奈米柱陣列，並且頭部都帶有一個明顯腫起的球狀物。 如圖2(b)的電子顯微鏡高角度繞射暗場像所示，這些高聳的奈米柱陣列仍然含有高結晶性的氮化銦鎵多層量子井結構於頂部，建議利用此方法將可以有效的製作奈米發光二極體元件陣列。更有趣的是，利用適當的化學蝕刻液，表面損傷層將可以完全的移除，產生一個具完美結晶性及高深寬比的奈米柱陣列， 如圖2(c)。此完美陣列的發光特性不但比剛製作好的陣列好，其發光強度甚至高於原來氮化鎵發光二極體元件，如圖2(d)。 * 這個伴隨氮化鎵材料異常的現象，可以用如圖三的機制加以了解。當聚焦式離子束在圖案面積上一個像素接一個像素，及一層接一層的掃描時，具有形貌尖點的位置會進行“動態的腫脹“。在掃描離子束進行下一次掃描的空檔時間中，尖端腫脹區會不斷增加其體積。這尖端腫脹區正好可以當成下一次的蝕刻遮罩，藉由不斷進行腫脹及遮罩行為，最後就形成了高深寬比的奈米柱陣列，非奈米島嶼陣列。調整腫脹及蝕刻的速率，提供了一個有效率及不需光罩之新穎製作規則氮化鎵奈米柱陣列，正可以應用於發展奈米氮化物發光二極體元件中。