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- 2019-05-06 发布于广东
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2.实现方法——变容管调相电路 (1)原理图 如图。变容管电容用 Cj 表示,它和电感 L 组成谐振回路,并由角频为 ?c 的电流源 iS(t) = Ismcos?ct 激励, Re——回路的谐振电阻。 一个并联谐振回路,其阻抗由下式近似表示 其中 式中 (2)工作原理 若加在变容管上的电压v = - (VQ+v?) = - ( VQ+V?mcos?t),相应的 Cj 为 且假设 v? = 0、Cj = CjQ 时,谐振回路的谐振角频率等于输入激励电流的角频率,即 ?0 = ?c = 1/ ,则当加上调制信号后,回路谐振角频率将随 v? 而变化,其值(参考5-2-10式)为 当频率恒定 (?c) 的电流激励上述角频率受 v? 控制的谐振回路时,回路提供的相移 ?z(?c) 就将随 v? 而变化。 为了说明这个问题,画出谐振回路在不同谐振频率时的相频特性。 ① 当 ?0 = ?c 时,?z(?c) = 0 ② 当 ?0 = ??0时,?z(?c) ? 0 正 ③ 当 ?0 = ??0时,?z(?c) ? 0 负 因此,iS(t) 在回路上产生的电压将是相位受 v? 调变的调相信号。 3.不失真调相的条件 将 用幂级数展开,并限制 m 为小值,可忽略 mcos?t 的二次方及其以上各次方项,就可得到不失真反映 v? 变化的谐振角频率,即 式中 再来分析 ?z(?),根据正切函数特性,当 时,tan?z(?) ? ?z(?),由此引入的误差小于 10%,工程上是允许的。因此 当 ? = ?c 时 通常满足 ??0(t) ?c,上式简化为 式中 Mp = Qenm Mp 应小于 ?/6。 (1)选用n = 2 的变容管 (2)限制 m 为小值,保证 ?0(t) 不失真地反映 v? (3)限制 Mp 小于 ?/6。 结论:通过上述分析可见,要实现不失真调相—— L 、D —谐振回路 R1 和 R2 —隔离电阻,作用:将谐振回路输入和输出隔离开 4.实际电路(p278,F5-2-22) R4—隔离电阻,将变容管控制电路与偏压源(9 V)、调制信号源 v? 隔离 C1、 C3 —隔直耦合电容。 高频通路:R1 将输入载波电压 vS 转换为可控相移网络所需的电流 iS。 调制频率通路:R3、C4 组成高频滤波电路。 高频通路(b)与调制频率通路(c) 若 C4 取值较大,则 v? (t) 在 R3C4 电路中产生的电流 i?(t) ? v?(t)/R3,该电流向电容 C4 充电,因此加到变容管上的调制信号电压为 R3C4 的作用等效为一个积分电路,当v?(t) = V?mcos?t 时, 。 这样,调相电路便转换为间接调频电路。其中 三、可变时延法调相电路 1.原理:将载波电压通过可控时延网络,如图所示 vo(t) = Vmcos[?c(t -?)] 2.电路:时延网络的输出电压为 vo(t) = Vmcos(?ct - ?ckd v?) = Vmcos(?ct - Mpcos?t) 若 ? 受调制信号控制,且呈线性关系,即? = kdv? ,则 vo(t) 就是所需的调相波。即 式中 Mp = ?ckdV?m ,最大可达 0.8 ?。 四、间接调频与直接调频电路性能上的差别 调相电路能够提供的最大线性相移 Mp 均受到调相特性非线性的限制,且其值都很小。 对间接调频,Mf = kp(k1V?m/?) = ??m/?,(式5-2-3),故??m = kpk1V?m ,调相电路选定后,只与 V?m 有关而与 ?c 无关。间接调频限制的是绝对频偏 ??m。 对直接调频, (式5-2-12),与 ?c 成正比,?c 增加,??m随之提高,故限制的是最大相对频偏。 这表明,两种调频受调制特性非线性限制的参数不同: * 5.2 调频电路 调频的两种实现方法 5.2.1 调频电路概述 一、直接调频和间接调频 1.直接调频 (1)定义:用调制信号直接控制振荡器的振荡频率,使其不失真地反映调制信号的变化规律。 (2)被控的振荡器 ①LC振荡器和晶体振荡器(产生调频正弦波); ②张弛振荡器(产生调频非正弦波,可通过滤波等方式将调频非正弦波变换为调频正弦波)。 (1)定义:通过调相实现调频的方法
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