脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜-凝聚态物理专业毕业论文.docxVIP

脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜 脉冲激光法制备高介电系数铁电薄膜和多层膜 中文摘要 中文摘要 本文介绍了高介电系数铁电薄膜材料在DRAM中的应用前景和现在存 在的主要问题及解决办法。利用脉冲激光法制备了两类铁电薄膜，一类 是2896_moI镧掺杂钛酸铝(PLT)薄膜，主要研究了沉积气压对薄膜结构 和介电性能的影响，发现PLT薄膜的介电性能非常依赖于脉冲激光沉积 时的氧气压，本论文找到了具有高介电系数和低介电损耗的PLT薄膜制 各条件。另一类是BaTi03(BT)和SrTi03(ST)交替组成的多层膜。通过调 节沉积每层膜停留时的氧气压，实现了相对于Ba0。Sr。。TiO。均匀薄膜两倍 介电系数的BT／ST多层膜。 文中利用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／SiO。／si衬底上制各了28％mol镧 掺杂钛酸铅薄膜。采用不同的沉积氧气压，分析了其对薄膜微观结构和 介电性能的影响。结果表明在2Pa左右沉积的薄膜具有最好的结晶度和 介电系数。在频率为lOkHz时28％moi镧掺杂钛酸铝薄膜的介电系数达 852，并且保持了较低的损耗0．0110。同时制各了其它La掺杂浓度的 PbTi oJ薄膜，发现它们也有类似的特点。本文对此现象作了定性解释。 另外制备了BT／ST多晶薄膜。通过降低层与层间隔时间的氧气压，形 成一组低阻介面层，进而提高了薄膜的介电系数。获得了lOkHz时介电系 数高达1204损耗0．I左右的高性能薄膜，其介电系数是 Ba。Sr。TiO。／B‰。Sr。；TiO。同质多层膜和Bao。Sr。；TiO。均匀薄膜的两倍。说 明了多晶BT／ST薄膜的介电提高机理应为氧空位引起的低阻界面层而不 是应力的结果。 本文的研究表明，在脉冲激光法制各高介电系数铁电薄膜和多层膜 时，合理地利用氧气压是一个提高薄膜介电性能的非常有效的手段。 关键词：脉冲激光沉积，铁电薄膜，气压、界面、介电增强 作 者：胡大治 指导教师：沈明荣 脉冲激光法制各高介电系数铁电薄膜和多层膜 脉冲激光法制各高介电系数铁电薄膜和多层膜 英文摘要 High-K ferroelectric films and multilayers fabricated by pulsed laser deposition Abstract This thesis introduces in detail the future application of high-K ferroelectric films，the main problem of the materials and the method to solve these problems． In the thesis，uniform Pb0．72Lao．28T103(PLT28)and polycrystalline BaTiOflSrTi03(BT／ST)multilayered films have been investigated，respectively．For PLT28，study indicated that oxygen deposition pressure exerts a s仃ong impact on the microstructure and the dielectric properties ofthe films，and we found a proper deposition condition to prepare PLT28 films with hi曲K and low loss．On the other hand，through controlling oxygen pressure during the time interval in between two adjacent depositions， the dielectric enhancement was obtained in BT／ST multilayers．The dielectric constant is about two times that of uniform Bao．5Sro．5TiOs films． PLT28 thin films have been prepared Oil Pt／Ti／Si02／Si substrates by Pulsed Laser Deposition(PLD)under various oxygen pressures．Study indicated that oxygen deposition pressure exerts a strong impact 0n the microstructure and the dielectric propert