脉冲电源制备SmCo5硬磁薄膜及性能研究-材料科学与工程专业毕业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究 成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人 已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得西南科技大学或其它教育机构的 学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已 在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 关于论文使用和授权的说明 本人完全了解西南科技大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留学位论文的复印件，允许该论文被查阅和借阅；学校可以公布该论文的全部 或部分内容，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签 名 ： 导师签名： 日 期： 西南科技大学硕士研究生学位论文第 西南科技大学硕士研究生学位论文 第 I页 摘 要 SmCo5 作为第一代硬磁材料，不但有着较高的磁能积和较大的矫顽力而且在 稀土硬磁系列中表现出良好的温度特性，此外它还具有很高的单轴磁晶各向异性 能，因此它可以作为一种新型优良的磁记录材料。 本文采用新型 AE（Advanced Energy）脉冲电源做为磁控溅射的电源，并利用 高真空磁控溅射仪，在 Si 片上制备不同结构的 Cu（缓冲层）/SmCo5（磁性层）/Cr （保护层）和 Cr（缓冲层）/SmCo5（磁性层）/Cr（保护层），制备出的样品中出 现 1:5 和 2:7 的 SmCo 相，仔细研究了样品的磁学性能以及结构形貌，具体研究工 作如下： （1）在制备 SmCo5 硬磁薄膜的时候，使用磁控溅射仪并采用共溅射的方式制 备，当 Sm 靶的溅射功率为 30 W，Co 靶的溅射功率为 115 W 时，制备出的样品通 过能谱测试，发现 Sm 和 Co 的原子比接近 1:5。 （2）当 Cr 作为缓冲层时，研究了在相同的退火的情况下研究不同厚度的 Cr 缓冲层的对样品的磁性能和结构的影响，发现随着 Cr 缓冲层的增加，SmCo5 的结 晶度变好，矫顽力也变大。另外也研究了不同 SmCo5 厚度对样品结构和形貌的影 响，发现随着 SmCo5 厚度的增加，SmCo5（11 20 ）的衍射峰变得愈加明显和强烈， Cr（110）的衍射峰却减弱了，说明磁性薄膜层的增加不仅仅对仅对 SmCo5 自身的 结构产生影响，而且会影响到 Cr 缓冲层的结构。 （3）当 Cu 作为缓冲层时，分别研究研不同的退火时间和不同的 Cu 缓冲层厚 度对样品的结构和磁性能的影响，发现适当延长退火时间和增加 Cu 缓冲层的厚度 都可以提高样品的结晶度。 关键词：脉冲电源 SmCo5 硬磁薄膜 磁控溅射 缓冲层 磁性能 西南科技大学硕士研究生学位论文第 西南科技大学硕士研究生学位论文 第 II页 Abstract SmCo5 is one of the first generation of hard magnetic material, which not only has a higher energy product and a larger coercive force, but also in the hard magnetic rare-earth series exhibit good temperature characteristics. In addition, SmCo5 also has a high uniaxial magnetic anisotropy energy, so it can be used as a new excellent type of magnetic recording materials. In this paper, magnetron sputtering power is a new AE (Advanced Energy) DC pulse power supply, and the use of high vacuum magnetron sputtering apparatus. Preparing of different structures of Cu (buffer layer) /SmCo5 (magnetic layer) /Cr (protective layer) and Cr (buffer layer) /SmCo5 (magnetic layer) /Cr (protective layer) on a Si wafer. Samples were prepared in the emergence of 1:5 and 2:7 SmCo phases. We have carefully studied t