三相整流器传导EMI实验研究-控制理论与控制工程专业论文.docxVIP

5虫创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取 得的研究成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含其他 人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 义哮嫂工九学 或 其他教育机构的学位成证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研 究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 学位份叫名:沪汽…:例年 t }J吻 学位俗文版机使用投机书 本学位论文作者完全了解 义体理工九学有关保留、使用学位论文 的规定。特授权义哼理工大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入 有关数据库进行检索，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编， 以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复本和电子 文件。 (保密的学位论文在解密后适用本授权说明) rAIU. I也p 巧 r 学位以作者签名 t \ 叫:那牛是 斜叫:叫年川 z(町 签字同期心。 tI 年 1月 j町 摘要 随着全球能源危机的出现以及现代电力电子技术的快速发展，高功事 变流装贵的应用领域 H 益广泛，作为电力电子系统基本坏节的整流器更是 得到了大规模地使用。整流系统中的商功率开关器件 IGBT 通断瞬间所产生 的高瞬变咆压( dv/dt) 和高瞬变电流( di/dt) 会产生很大的电磁干扰( EMI) 。 而这些 EMI 不但会降低黯流器自身的工作效率，也会影响到同一电磁环境 中其他用电设备的正常工作，甚至会对操作人员的人身安全造成一定的危 害。 本文对王相整流器传导干扰的产生原因和传播路径进行了理论研究，并 指出:差模干扰的产生是由于高频开关动作产生的 di/dt 通过寄生电感在电网侧引 入了脉动电流;共模干扰的产生是由于 dv/dt 在整流桥桥臂中点对地寄生电容上产生了 充放电电流。在详细介绍传导干扰测量仪器的同时设计出了传导干扰测试系 统。基于精密阻抗分析仪的测量结果和 Saber 的仿真结果，验证了元器件寄 生参数对系统传导干扰的影响。最后，测量了三相整流器的传导干扰和近场 干扰并对测试结果进行了对比分析。 研究表明:可控整流器比不控整流器产生的传导干扰大，空间矢量控制 又比滞坏控制产生的干扰大:差模干扰对称分布在开关频率及其倍频附近，共 模干扰集中在开关频率及其奇倚频附近:差模干扰与共模干扰均会随开关频 率的增加而增加:低颇段的装模干扰会随阻性负载的变化而变化，共模干扰 则不受负载大小的影响。通过实验得出，整流器网侧干扰以差模干扰为主。 关键词z 三相整流器传导干扰寄生参数测试仪器传导干扰测试 Abstract Wi由 the em町gence of 也e global energy crisis and 阳rapid development of modem pow町 electronics，high-powerωnv 町ter devices application field is increasingly extensively. As the power electronic systems basic H此， the rectifier is more widely used at present.白m rectifi町，部出e power electronic systems basic link，is more widely used at present.叽le high transient voltage (dv/dt) and high transient cu町ent (di/dt)，produced by this kind of high pow町 switch device IGBT such as rectifier 副 the instantaneous of onloff switching， wil1 cause strong electromagnetic intem町ence (巴MI). 丁hese EMI signals not only reduce rectifier own work e班iciency，but also affect the nonna1 operation of other nearby electrical equipments，or even endanger person a1 safety. At first， this pap町 introduced 出e causes and transmission path of three-phase rectifi时 conducted EMI，and points out that: when the high dv/dt ca