硫族半导体材料的陷光结构设计、制备及太阳能利用研究-材料科学与工程专业毕业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘 要 光吸收是决定太阳能器件性能好坏的重要原因之一。但对于大部分半导体， 其固有的高折射率会导致严重的光吸收损失。到目前为止，如何提升器件的有效 光吸收仍然是一个巨大的挑战。为此，我们制备了一系列具有陷光效应的纳米结 构，包括纳米片阵列和反蛋白石结构，将其运用在太阳能电池和光电解水产氢领 域，并获得了光电转换效率的有效提升。 1. 制备了一系列不同材料的纳米片阵列结构。将其作为光吸收材料可以获 得 95 %的吸光效率（对于硫化镉材料），远高于薄膜和多孔结构的光吸收。进一 步研究表明片层结构的吸收增强作用来源于片与片之间的多重散射效应。这种结 构的光吸收增强作用广泛适用于多种材料体系，包括硫化镉，硒化镉，铜锌硒硫， 甚至是金属镉。 2. 纳米片阵列结构不但可以增强自身材料的光吸收，还可以作为一种功能 化的骨架来负载有机物，利用骨架恰当的几何结构来提升负载物的吸光效率。实 验表明，对于 15 nm 厚的 P3HT 薄膜来说，其吸收效率可以被提升至 95%。将这 种具有陷光效应的阳极骨架应用于有机无机杂化电池中，使 CdS 纳米片阵列/ P3HT 电池展现出 4.4 mA cm-2 的光电流密度，10 倍于传统的 CdS/ P3HT 薄膜结 构电池。进一步的研究表明，整个光电流的提升来源于 CdS 和 P3HT 的共同贡 献。 3. 设计了一种 CdS/P3HT 空腔电池结构，它拥有以下特点：（1）具有陷光 效应的 CdS 纳米片阵列作为骨架，（2）将 P3HT 以薄膜的形式包覆在 CdS 片层 外侧形成核-壳结构，（3）中空的孔洞以及平铺的 Au 电极。得益于对入射光的有 效吸收以及对空穴传输路径的优化，这种新型的结构获得了 3.4 mA cm-2 的光电 流密度和 0.52 %的光电转换效率，远高于薄膜及传统的 P3HT 完全填充电池。将 这种电池结构概念引入到 CdSe/P3HT 中，获得了类似的光电流提升。表明这种 结构不仅适用于宽带隙半导体，而且在窄带隙半导体和 P3HT 的电池体系中同样 奏效。 4. 制备了 CdS 的反蛋白石结构，并将其应用于光电化学裂解水制氢。由于 反蛋白石结构恰当的孔壁厚度及多孔的结构特点，可以有效提升光吸收效率并促 进空穴的传输。优化后的 CdS 反蛋白石电极表现出 3.1 mA cm-2 的光电流密度， 这是薄膜结构电极的 3.1 倍。在 3 小时的持续光照下该电极的光电流也不会发生 明显衰减，变现出很高的稳定性。通过包覆 CdSe 的方法可以将 CdS 反蛋白石结 构的光电流进一步提升至 10.5 mA cm-2 关键词：硫族镉化物，纳米片阵列，光吸收增强，杂化电池，裂解水 ABSTRACT Light absorption is one of crucial factors which dominates the power conversion efficiency of solar energy devices. For most of the common semiconductors, their relatively high refractive index always cause optical losses, and it is still a big challenge to improve light absorption. Herein, we present some solutions to the above problem, where the nanoflake arrays (NFAs) and inverse opals structures (IOS) are demonstrated as effective light absorbers for efficient photon-electron-conversion (PEC). The NFAs with appropriate flake size and orientation were demonstrated as excellent absorbers with light absorption as high as 95%, being superior to commonly used thin film or inverse opal order porous structures. Further investigates revesl that the enhancement of light absorption can be attributed to the mlti-reflection effect between the flakes