射频域巨介电铁氧体磁电双性能材料与器件研究-电子信息材料与元器件专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 Research on Giant Dielectric/Ferrite Magnetoelectric Composite Materials and Components in Radio Frequency Domain Major: Electronic Information M aterials and Com ponents Advisor: P rof.Zhang Hua iwu Author: He Ying 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 信息技术的变革引导着电子元器件向 LTCC 化发展，新型磁电复合材料成为 当前和近期研究的热点。如果能发现一种新的磁电复合材料，其在同一频段内既 具有可接受的介电常数和磁导率，又有较小的损耗，那么新型 LTCC 器件的设计、 工艺将变得更简捷，性能将更好。新型巨介电材料 CaCu3Ti4O12（CCTO）因介电 常数高达 104，在 100-600 K 的温区范围内介电常数数值几乎不变，且烧结温度相 对较低（~ 1100 ℃）等优点，成为了磁电复合材料中介电相候选材料的佼佼者。 因此，本论文首先围绕着磁电复合材料中的介电相材料 CCTO 存在的一系列问题 展开了研究。在此基础上，利用磁性相材料 N iCuZn 铁氧体与 CCTO 进行复合，并 对该复合材料的磁电性能进行了深入的探索，最后采用自主研制的磁电双性能材 料进行了 LTCC 片式低通滤波器的试制研究。具体内容如下： 首先，通过 Nb5+取代 Ti4+和对厚度为 10 mm 的陶瓷圆柱体表面和内部的介电 性能分析，系统地研究了点缺陷对介电相材料 CCTO 介电弛豫行为的影响，结果 表明低频介电弛豫与电极和样品的接触、表面层效应等因素有关。为进一步揭露 CCTO 材料内部的结构和机理，研究了直流偏压对介电相材料 CCTO 介电行为的 影响，并利用两个串联的 n 型半导体 MOS 结构模型对样品在直流偏压下的低频和 高频介电行为进行了合理的解释，证实了表面层效应对样品介电常数产生的贡献。 然后，为改善介电相材料 CCTO 的介电性能，研究了 Li 和低熔点玻璃 BBSZ 的掺 杂对 CCTO 陶瓷介电性能的影响，结果表明，Li 掺杂可以使样品的介电常数保持 在 105 数量级的同时将介电损耗下降到 0.06；BBSZ 的掺杂可以使样品的烧结温度 下降 50 ℃，介电损耗降低到 0.05，而介电常数仍大于 2500。 其次，首次将 CCTO 与 NiCuZn 铁氧体进行复合，系统地研究了组分的变化对 这一新型磁电复合材料的烧结性能、晶相结构、显微结构和磁电性能的影响。为 了 实 现复 合材 料的 低温 烧结 以及 综合 考虑 复相 陶瓷 的 磁电 性能 ，选 取了 85 wt%N iCuZn 铁氧体/15 wt%CCTO 和 80 wt%N iCuZn 铁氧体/20 wt%CCTO 两个组 分，分别以 Bi2O3 和 BBSZ 玻璃作为助熔剂，研究了其对 CCTO/N iCuZn 铁氧体基 复合材料的烧结行为和磁电性能的影响。结果表明，掺杂 BBSZ 后，900 ℃下烧结 的所有样品的密度均达到了复相陶瓷理论密度的 95%，且复相陶瓷的介电常数和 磁导率在 1 MHz-30 MHz 的频率范围内均不依赖于频率的变化。在 10 MHz 的频率 I 摘要 下，当 BBSZ 的含量从 0 增加到 3 wt%时，复相陶瓷磁导率 μ 从 13.2 增加到 47.9， 磁损耗 tanδμ 从 0.022 下降到 0.017，同时，样品的谐振频率从 109 Hz 左右移动到 3.2×108 Hz。相应地，复相陶瓷的介电常数 ε 从 9.2 增加到 16，介电损耗 tanδε 从 0.069 下降到 0.012。这一优异的整体性能使其有望进行实际应用。 最后，首次采