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第9章 大规模集成电路 第9章 大规模集成电路 本章导读 本章导读 通过本章的学习，使读者： 通过本章的学习，使读者： 1.ROM的分类、结构及工作原理; 1.ROM的分类、结构及工作原理; 2.RAM的分类、结构及工作原理; 2.RAM的分类、结构及工作原理; 3.可编程逻辑器件的结构及应用。 3.可编程逻辑器件的结构及应用。 9.1 只读存储器（ROM） 9.1 只读存储器（ROM） • ROM存储的信息是非易失的。也就是说，掉电后 • ROM存储的信息是非易失的。也就是说，掉电后 再上电，存储内容不会改变。编程后用于用户系 再上电，存储内容不会改变。编程后用于用户系 统中时，其内容只能读出、不能写入。一般用于 统中时，其内容只能读出、不能写入。一般用于 存放固定不变的程序和数据。 存放固定不变的程序和数据。 分类 分类 特 特 1.掩膜型ROM 结构简单 1.掩膜型ROM 结构简单 点 点 2.可编程ROM 位密度高 2.可编程ROM 位密度高 3.可擦除可编程ROM 非易失性 3.可擦除可编程ROM 非易失性 4. 电可擦除可编程ROM 可靠性高 4. 电可擦除可编程ROM 可靠性高 9.1.1 掩膜型ROM ［固定ROM］（ 9.1.1 掩膜型ROM ［固定ROM］（ Read Only Memory） Read Only Memory） • 掩膜型ROM芯片所存 • 掩膜型ROM芯片所存 储的信息是由厂家写入 储的信息是由厂家写入 ，用户无法进行任何修 ，用户无法进行任何修 改。这些管子是制造时 改。这些管子是制造时 由二次光刻版的图形（ 由二次光刻版的图形（ 掩膜工艺）决定的，故 掩膜工艺）决定的，故 称为掩膜ROM 。这种 称为掩膜ROM 。这种 类型存储器的基本存储 类型存储器的基本存储 电路可由二极管、晶体 电路可由二极管、晶体 2 ×2位掩膜ROM电路原理图 2 ×2位掩膜ROM电路原理图 管、MOS管构成。 管、MOS管构成。 9.1.2 可编程ROM———PROM （ 9.1.2 可编程ROM———PROM （ Programmable ROM） Programmable ROM） • PROM一般由二极管矩阵 • PROM一般由二极管矩阵 组成，也可由MOS管或 组成，也可由MOS管或 三极管矩阵组成。用户写 三极管矩阵组成。用户写 入信