半导体二极管和三极管.docVIP

PAGE PAGE 11 第10章 半导体二极管和三极管 10.1 半导体的导电特性 一、本征半导体 1．什么是半导体 导体：铜、银、铝等一些容易传导电流的物质。 绝缘体：几乎不传导电流的物质。如橡胶、陶瓷、塑料等。 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间。常用硅（Si）锗(Ge)。 半导体的独特性质有热敏性，光敏性，杂敏性。 2．本征半导体的导电特性 本征半导体：完全纯净的并具有晶体结构的半导体。 （1）原子结构及共价键 硅和锗都是四价元素，以硅为例， 最外层有四个电子（价电子） 当把硅制成晶体时，物质的原子就按一定的规则整齐的排列着，原子间靠的很近，距离都相等，每个原子的四个价电子就和相邻原子的价电子联系起来，结合起来形成一种共价键结构。 这时每个硅原子通过四对共价键受到相邻四个硅原子的束缚。所以此结构是非常稳定的。 T=0K时 半导体=绝缘体 （2）半导体中的载流子 载流子：运载电荷的粒子（物质的导电性就取决于它的多少） 在常温下，由于受到热激发便出现了自由电子载流子，同时也出现了空穴载流子，这是区别于导体的重要特征。 结论：半导体中有两种载流子：自由电子（—）；空穴（+）；两种载流子成对出现。 （3）半导体中的电流 在外加电场的作用下： 自由电子向正极运动 → 电子电流。 空穴向负极运动（实质是共有电子填补穴） → 空穴电流。 故：常温下，在本征半导体中出现了载流子，所以它可以导电，但其导电能力很弱也不好控制。 二、杂质半导体 1．N型半导体 在四价硅中掺入五价磷（P）→ 产生大量自由电子，我们就称它为电子型半导体，简称N型半导体。 此时整个共价键的结构不变，只是某些硅被磷所代替，磷和硅组成共价键后多余的电子在常温下即可成为自由电子，从而使这种半导体中的电子大大增加 所以在N型半导体中：电子为多数载流子，空穴为少数载流子 P型半导体 在四价硅中掺入三价硼（B）→ 产生大量空穴，我们就称它为空穴型半导体，简称P型半导体。 所以在P型半导体中：空穴为多数载流子，电子为少数载流子 单独的P型半导体或N型半导体接入电路中只能当电阻用，意义不大，若将P、N结合起来，便可形成PN结。 10.2 PN结 PN结的形成 1．由于多子向对方区域扩散形成空间电荷区——产生内电场。 2．内电场的作用：对多数载流子的扩散起阻挡作用。 使少数载流子产生漂移运动。 3．当扩散与漂移达到动态平衡时——PN结就形成了。（平衡PN结） 二、PN结的单向导电性： 1. 外加正向电压（正向偏置） 正向偏置：P接正，N接负。 在U作用下，空穴向右运动，电子向左运动，它们会中和一部分空间电荷。 结果：PN结宽度变窄，所呈现的电阻R很小，I很大，称PN结导通。 外加反向电压（反向偏置） 反向偏置：P接负，N接正。 结果：PN结宽度变宽，所呈现的电阻R很大，I≈0 但少数载流子会形成很小的反向电流。 结论：PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止。 10.3 半导体二极管 二极管的结构与符号 PN结加外壳及引线 半导体二极管按结构不同可分为： 点触型：电流小，但高频特性好。适用于高频场合。 面接触型：电流大，但高频特性差。适用于整流等大电流场合。 二极管的伏安特性 1. 数学表达式： iD = Is(e uD/UT– 1) 其中：Is为反向饱和电流， UT为温度的电压当量，常 温下为26mv 2.特性曲线 3. 特点 正向：二极管导通所需要的最小电压称为导通电压，也称为死区电压。硅管 大约为0.5伏，锗管大约为0.1伏。显然硅的Uon＞锗的Uon 当U正＞Uon时，正向电流大大增加，二极管导通（但iD 与 uD不成比例）， 二极管导通后uD 基本不变称为正向压降。硅管大约为0.6-0.8V，取0.7V，锗管大约为0.1-.03取0.2V。 反向：加反向电压时会有很小的反向电流且基本不变称为反向饱和电流 Is = f(T℃)。硅的Is＜锗的Is。 但当反向电压很大使得u反 ＞UBR （反向击穿电压）→I反 ↑↑————反向击穿。 说明：a) 单向导电性（理想时uD≈0 iD ≈0 ） b）非线性 二极管的主要参数 1．最大整流电流IF 2．最大反向工作电压URM = 1/2UBR 3．反向电流IR（IS） 4．二极管的结电容CJ 正偏时为扩散电容CD，反偏时为势垒电容CT 1.5 半导体三极管 半导体三极管根据其结构及工作原理不同可分为双极型和单极型两种，双极 型三极管简称为半导体三极管、三极管、晶体管等。 工作原理 1. 结构与符号： 三极管由三块半导体两个PN结构成。 各极的作用（NPN） E：用以发射电子以形成管内电流。 B：在中间起着控制电流的作用。