国内外电力电子技术发展综述.docVIP

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国内外电力电子技术发展综述 TheDevelopmentofPowerElectroniesatAbroadandHome 西安电力电子技术研究所!苎5T—f 在电力电子技术被列为国家八五重点开 发技术,受到各行各业关注的形势下,有必要对 电力电子技术八十年代的发展过程进行回顾并 预测九十年代的发展趋势.本文依据有关资料 和国内调查的结果,对此作一论述.目的是为各 企业八五科技攻关项目的设置,实旋以及转 产定向和有关部门确定规划,宏观控制提供参 考. 1八十年代电力电子技术发展回 朋 1.1国外情况 1.1.1电力半导体器件 八十年代器件制造技术方面的主要发展成 就I, (1)硅单晶制造技术①区熔单晶的直径 不断提高,由七十年代的~76mm提高到 ~lZSmm,正向~150mm发展.②硅片加工质 量有了提高.如整个硅片的平坦度八十年代初 为lt;8~tm,八十年代末为lt;5m.晶格缺陷1975 年为lt;500个/cm,1985年lt;100个/cm.,现在 正向lt;50个/cm.方向发展. (2)硅片直接键合技术(SDB技术)SDB 技术是将两个硅片甩混合馥处理以使其表面具 有亲水性,由于表面粘附力的作用,将两个硅片 牯合在一起.然后在1000℃以上温度和氮气中 处理几小时,去掉最初的氢和氧,使两个硅片直 接键合在一起.这种键合面破坏强度几乎与硅 单晶相等,达llOkg/cm,而层的厚度由于是固 一 固外延生长单晶层,所以很薄. 八十年代这一技术已用于二极管,IGBT, 功率MOSFET以及Ic元件隔离等工艺中. (3)限场环技术传统的结终端技术是采 用机械研磨或化学蚀刻方法,对PN结表面进 行造型,然后局部腐蚀,涂敷硅树脂或其它保护 材料.这种技术适用于结深较大(gt;20gin)的园 型器件,但不适合浅结(≈5m)的MOS门器 件. 八十年代PN结限场(保护)环技术被公认 为是提高平均PN主结击穿电压的主要技术. 而且当电压容量很高或主结的曲率小于空间电 荷区的宽度时,可采用多重分布的限场环结构, 以便更有效地使结端附近的表面电场低于主结 峰值电场.这一技术已有效地用于各类器件的 制造中. (4)玻璃钝化技术玻璃钝他技术的优点 是:一 ①在没有迁移离子污染时,有良好的高温 反偏压特性}. ②有良好的高温特性} ③能形成厚膜来踌止外部杂磺枵染,特别 是具有良好的防潮性能I. ④通过控制玻璃膜中的电荷,能获得高的 懂【断能力. 因此八十年代国外已将这一技术广泛地用 于电力电子器件的生产中.所用的材料主要有 铅玻璃和锌玻璃,采甩的方法有电濠法,离心沉 积法,涂覆法. 由于上述制造技术的发展,八十年代电力 半导体器件主要向高压太电流化,自关断化,高 频化,易驱动化,模块化方向发展(参见本刊 1991.1电力半导体器件现状及展望一文).目 前各类器件所达到的水平为: (SCR)普通晶闸管12kV,lkA}4kV; 3kA (GTO)可关断晶闸管9kV,lkAI4.5kV~ 4.5kA 《电力电子技术}1992年第4期1992.11 (RCT)逆导晶闸管 (LATT)光触发晶闸管 (GTR)功率晶体管 4.5kVlkA,- 6kV-2.5kA; 4kV5kA 单管lkV200A 模块 800A; 2kV 18OOV 100A 功率MOSFET1000V38A (sITH)静电感应晶闸管4.5kV2.5kA (IBT)绝缘门极晶体管1.2kV400A} 1.8kV100A (MCT$MOS控制晶闸管lkV100A 1…12电力电子设备 电力电子设备在经历了七十年代向高压大 电流方向突飞猛进,井迅速解决了可靠性问题 之后,八十年代的发展特点是:①微机和现代控 制理论的应甩,使电力电子设备走出了过去仅 进行交直流变换,用作一般工业直流电源的初 级聊段,开拓了更高科技领域的应用.I②完善电 路理论及更新设计方法,使产品性能更先进,更 符合生产实际的需要I③微电子技术与电力电 子技术开始相互渗透结合,使电力屯子设备效 率提高,速度更快,使用更方便,已呈新的腾飞 毫势;固电路拓朴技术和结构标准化加快了新 产品的开发步伐. , l(1)大功率直流电髹大功率直流电源,特 别是作为电化和有色金属电解的太功率直流电 摄,一直是电力U--T-设备的一个重要应用领域. 它的发展主要以增加单机容量和提高效率为目 标.出于效率和电流均衡度的原因,普遍采用超 大容量的电力半导体器件,以减少并联数目.二 摄筐装置和晶闸管装置在这类产品上应用各有 其特点,目前晶闸管装置的比例日见增加,容量 最大的达12okA,12ooV. 一 种把整泷装置与变压器组合在一起的变 压整流装置,大大节约了连接母线的费用和因 此而产生的损耗.户内装鼍还出现了不用壳体 的吊装式结构.

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