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国内外电力电子技术发展综述
TheDevelopmentofPowerElectroniesatAbroadandHome
西安电力电子技术研究所!苎5T—f
在电力电子技术被列为国家八五重点开
发技术,受到各行各业关注的形势下,有必要对
电力电子技术八十年代的发展过程进行回顾并
预测九十年代的发展趋势.本文依据有关资料
和国内调查的结果,对此作一论述.目的是为各
企业八五科技攻关项目的设置,实旋以及转
产定向和有关部门确定规划,宏观控制提供参
考.
1八十年代电力电子技术发展回
朋
1.1国外情况
1.1.1电力半导体器件
八十年代器件制造技术方面的主要发展成
就I,
(1)硅单晶制造技术①区熔单晶的直径
不断提高,由七十年代的~76mm提高到
~lZSmm,正向~150mm发展.②硅片加工质
量有了提高.如整个硅片的平坦度八十年代初
为lt;8~tm,八十年代末为lt;5m.晶格缺陷1975
年为lt;500个/cm,1985年lt;100个/cm.,现在
正向lt;50个/cm.方向发展.
(2)硅片直接键合技术(SDB技术)SDB
技术是将两个硅片甩混合馥处理以使其表面具
有亲水性,由于表面粘附力的作用,将两个硅片
牯合在一起.然后在1000℃以上温度和氮气中
处理几小时,去掉最初的氢和氧,使两个硅片直
接键合在一起.这种键合面破坏强度几乎与硅
单晶相等,达llOkg/cm,而层的厚度由于是固
一
固外延生长单晶层,所以很薄.
八十年代这一技术已用于二极管,IGBT,
功率MOSFET以及Ic元件隔离等工艺中.
(3)限场环技术传统的结终端技术是采
用机械研磨或化学蚀刻方法,对PN结表面进
行造型,然后局部腐蚀,涂敷硅树脂或其它保护
材料.这种技术适用于结深较大(gt;20gin)的园
型器件,但不适合浅结(≈5m)的MOS门器
件.
八十年代PN结限场(保护)环技术被公认
为是提高平均PN主结击穿电压的主要技术.
而且当电压容量很高或主结的曲率小于空间电
荷区的宽度时,可采用多重分布的限场环结构,
以便更有效地使结端附近的表面电场低于主结
峰值电场.这一技术已有效地用于各类器件的
制造中.
(4)玻璃钝化技术玻璃钝他技术的优点
是:一
①在没有迁移离子污染时,有良好的高温
反偏压特性}.
②有良好的高温特性}
③能形成厚膜来踌止外部杂磺枵染,特别
是具有良好的防潮性能I.
④通过控制玻璃膜中的电荷,能获得高的
懂【断能力.
因此八十年代国外已将这一技术广泛地用
于电力电子器件的生产中.所用的材料主要有
铅玻璃和锌玻璃,采甩的方法有电濠法,离心沉
积法,涂覆法.
由于上述制造技术的发展,八十年代电力
半导体器件主要向高压太电流化,自关断化,高
频化,易驱动化,模块化方向发展(参见本刊
1991.1电力半导体器件现状及展望一文).目
前各类器件所达到的水平为:
(SCR)普通晶闸管12kV,lkA}4kV;
3kA
(GTO)可关断晶闸管9kV,lkAI4.5kV~
4.5kA
《电力电子技术}1992年第4期1992.11
(RCT)逆导晶闸管
(LATT)光触发晶闸管
(GTR)功率晶体管
4.5kVlkA,-
6kV-2.5kA;
4kV5kA
单管lkV200A
模块
800A;
2kV
18OOV
100A
功率MOSFET1000V38A
(sITH)静电感应晶闸管4.5kV2.5kA
(IBT)绝缘门极晶体管1.2kV400A}
1.8kV100A
(MCT$MOS控制晶闸管lkV100A
1…12电力电子设备
电力电子设备在经历了七十年代向高压大
电流方向突飞猛进,井迅速解决了可靠性问题
之后,八十年代的发展特点是:①微机和现代控
制理论的应甩,使电力电子设备走出了过去仅
进行交直流变换,用作一般工业直流电源的初
级聊段,开拓了更高科技领域的应用.I②完善电
路理论及更新设计方法,使产品性能更先进,更
符合生产实际的需要I③微电子技术与电力电
子技术开始相互渗透结合,使电力屯子设备效
率提高,速度更快,使用更方便,已呈新的腾飞
毫势;固电路拓朴技术和结构标准化加快了新
产品的开发步伐.
,
l(1)大功率直流电髹大功率直流电源,特
别是作为电化和有色金属电解的太功率直流电
摄,一直是电力U--T-设备的一个重要应用领域.
它的发展主要以增加单机容量和提高效率为目
标.出于效率和电流均衡度的原因,普遍采用超
大容量的电力半导体器件,以减少并联数目.二
摄筐装置和晶闸管装置在这类产品上应用各有
其特点,目前晶闸管装置的比例日见增加,容量
最大的达12okA,12ooV.
一
种把整泷装置与变压器组合在一起的变
压整流装置,大大节约了连接母线的费用和因
此而产生的损耗.户内装鼍还出现了不用壳体
的吊装式结构.
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