TIN-07-409 蚀刻工脱膜位工艺操作规范.pdfVIP

题目: 光刻车间—蚀刻脱膜工位 工艺操作规范 康惠（惠州）半导体有限公司 文件编号： 版次： TIN-07-409 E 文件种类 文件控制 GOP 运作程序 WIN 工作指示 QIN 品质控制指示 PFC 工序流程图 DWG 工程图纸 CMD 客户文件 SIN 国家/国际标准 TIN 工艺规范 部门： 签署： 日期： 编制 （生产工艺部） 复核 （生产工艺部） 复核 （ 品 管 部 ） 复核 （生产计划部） 批准 （ 厂 长 ） 批准 （主管技术领导） 更改记录 版次 文件状况 生效日期 更改摘要 A 新发行 2008-6-18 原操作指示与工艺规范文件整合 B 改版次 2008-9-23 完善工艺参数及增加注意事项第 14 条 C 改版次 2009-2-21 修改碱液、水上、下喷淋压力使用要求 D 改版次 2009-4-3 增加脱膜碱液浓度控制工艺 E 修改第 2、3、5 页 2009-5-13 修改脱膜工艺参数 康惠（惠州）半导体有限公司 第 1 页，共 6 页 工序号：6 文件编号： 版次： 标题：光刻车间-蚀刻脱膜工位工艺操作规范 TIN-07-409 E 一、 设备操作 （一）开机操作（1 号、2 号操作相同） 1、按工艺规范要求配制好酸液和退膜液。打开蚀刻及退膜两段的 DI 进水总阀，把各水缸加满 DI 水至 溢流，打开纯水喷淋阀门和自来水阀门以及压缩空气管阀门。 2、检查并恢复急停按钮，开启电源总闸及触摸屏