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晶粒生长;一. 初次再结晶;二. 晶粒生长(晶粒长大);结论:晶粒生长是晶界移动的结果,而不是简单的小晶粒之间的粘结;晶粒生长取决于晶界移动的速率。;如图9-18:
A、B晶粒之间由于曲率不同而产生的压差为:
由热力学知系统只做膨胀功时:
当温度不变时
△G —跨越一个弯曲界面的自由能变化
—摩尔体积
晶体生长速率:;3.判断晶粒长大几何学的三个原则:
⑴晶界上有晶界能的作用,因此晶粒形成一个在几何学上与肥皂泡沫相似的三维阵列
⑵从一个三界汇合点延伸至另一个三界汇合点的晶界都有一定曲率,表面张力使晶界移向其曲率中心
⑶在晶界上的第二相夹杂物(杂质或气泡),如果它们在烧结温度下不与主晶相形成液相,则将阻碍晶界移动;晶粒长大定律:
D—时间t时的晶粒直径
K—常数
D0—t=0时的晶粒平均尺寸
晶粒生长后期
logD—t作图为一直线,其斜率为;;;4.影响晶粒生长的因素:
⑴第二相夹杂物(杂质、气孔)影响—阻碍作用
当气孔汇集在晶界上时,晶界移动可能出现的三种情况:
晶界移动被气孔或杂质所阻挡,使正常的晶粒长大终止
晶界带动气孔或杂质以正常速度移动,使气孔保持在晶界上,并可利用晶界的快速通道排除,坯体继续致密化
晶界越过气孔或杂质,产生二次再结晶,把气孔包入晶体内部
⑵有少量液相出现在晶界上—少量液相抑制晶粒长大;5.极限晶粒直径:
DL—晶粒正常生长时的极限尺寸
d—夹杂物或气孔的平均直径
f—夹杂物或气孔的体积分数
讨论:
①当f愈大时则DL愈小
②当f一定时,d愈大则晶界移动时与夹杂物相遇的机会就越少,于是DL愈大;三. 二次再结晶;3.晶粒生长与二次再结晶的异同点:;4.二次再结晶产生的原因:;5.避免二次再结晶采取的措施:;6.不良结果(危害):;四.晶界在烧结中的作用
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