硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化-强激光与粒子束.pdfVIP

　第 16 卷 　第 6 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 6 　 　2004 年 6 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS J un. ,2004 　 文章编号 (2004) 硅光电二极管激光损伤阈值随激光脉宽的变化 罗 　福 , 　江继军 , 　孙承纬 ( 中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳621900) 　　摘 　要 : 　对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量 ,对从 1s 到 60fs 不同脉宽激光辐照 下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论。实验数据表明 ,在 1s 到 10ns 脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非 严格地与脉宽的平方根成正比。信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成 ,而 60fs 激光辐照下的 损伤阈值为 0. 1J/ cm2 ,明显偏离普通温度分布预言的趋势。 　　关键词 : 　飞秒激光 ; 　硅光电二极管 ; 　损伤阈值 ; 　脉宽效应 　　中图分类号 : TN249 　　　　文献标识码 :A 　　光环境特别是激光给光电器件的应用带来了极其严重的影响 ,因此受到人们的高度重视。硅 PIN 光电二 极管因其响应时间快 ,工艺成熟 ,是可见光近红外区域的首选探测器。Lars Sjo qvist 对探测器的激光损伤问题 [1 ] μ 进行了较为全面的探讨 。早期面临的主要是长脉冲或连续激光 ,F. Bartoli 等人给出了 1. 064 m 激光照射下 [2 ] [3 ] μ 硅 PIN 光电二极管的损伤阈值 ,陈德章等研究了 60 s 钕激光对光电探测器的损伤阈值 ,2000 年钟海荣等 综述了激光对光电探测器的破坏机理研究情况[4 ] ,Steve E. Watkins 等对 10ns 激光辐照下光电探测器的损伤 机理进行了较为深入的研究[5 ] 。 　　啁啾技术的应用使人们可以在压缩脉宽的同时获得很高的能量 ,现在已可获得脉宽达数 fs 的高能激光输 出。飞秒激光辐照下 ,器件材料内部发生各种瞬态非平衡过程 ,器件的损伤既有可能是晶格被电子加热引起 的 ,也有可能是电子爆轰产生的冲击波造成的 ,为分析飞秒激光辐照下光电探测器的失效机制 ,我们对探测器 的响应信号进行了监测分析。 1 　激光辐照效应实验 　　飞秒激光辐照下 ,激光首先将能量传给电子 , 电子通过与电子碰撞扩散能量,通过与晶格碰撞将能量转移 给晶格 ,可发生元件材料电离形成等离子体 ,靶内产生冲击应力等效应。强冲击应力在波阵面上产生微孔洞甚 至层裂 ,热熔化导致掺杂扩散 ,因而冲击应力损伤与热损伤是两类不同的损伤。飞秒激光辐照下光生载流子的 生灭运动及等离子体可引起器件信号饱和失真 ,热熔化及应力波损伤可导致元件性能的永久性改变或完全失 效。它们可通过器件的输出电信号而得到反映。测量飞秒激光辐照下光电元件的响应信号的实验布局如图 1 所示。 Fig. 1 　Experimental setup for diode response measurement 图 1 　飞秒激光辐照光电元件的响应实验布局图 　　飞秒激光波长为 800nm ,装置输出激光到达靶面处的激光脉宽为 60fs , 单脉冲能量 40mJ ,到达靶面的激 光功率密度通过在光路中插