【实验名称】 霍尔效应(金属).docVIP

【實驗名稱】 霍爾效應（金屬） （Hall Effect, Metal） 【實驗目的】 實驗金屬之霍爾效應，並由實驗結果求得金屬之電荷載子之型式及霍爾係數。 【相關觀念】 霍爾效應（Hall effect）、霍爾係數（Hall coefficient）、磁阻抗（magnetoresistance）、電洞（hole）、能帶理論（Band theory）、移動率（mobility）。 【實驗背景與說明】 通電導體置於磁場中，如圖一所示。磁場沿著z-軸方向，電流順著x-軸方向，則在y-軸方向上之兩截面， 產生一電位差，即所謂的霍爾電壓（Hall voltage）。此霍爾效應於1879年由一位在Johns Hopkins University，年僅24歲之研究生，E. H. Hall首先觀察到的。 圖一 霍爾效應之實驗示意圖 (一)假設導體為均向性的（isotropic），且導體內之導電載子（charge carrier） 只有一種型態。載子之電荷為e，其移動率（mobility）為μ。假設載子之平均漂移速度（drift velocity）為，其受電磁場作用之力為，則由移動率之定義得 (1) 在式(1)中，如果導電載子是電子，則取 “－”號；如果為電洞（hole），則取 “＋”號。因為電流密度（n為載子密度）， (2) 在穩定狀態下，所以與，再由霍爾係數(Hall coefficient) 之定義 (3) 得 (4) 值之正負決定載子之正負。霍爾係數之值，可由實驗所測量之磁場B，電流I，導體厚度t，及霍爾電壓UH求得 (5) 然後，載子之密度可由霍爾係數值求得。如果導電率σ（）也可由實驗求得，則可算出霍爾移動率（Hall mobility） (6) (二)假設導體同時具有電子與電洞之載子，則 (7) 式中與分別為電洞與電子之密度，與分別為電洞與電子之漂移速度。由上式及式(1)得 = (8) 一般霍爾效應實驗中所用之磁場很弱，所以上式中所含之項可忽略不計。因為。，且，所以 (9) 因為和不為常數，而是隨溫度而改變。，式中τ為載子碰撞的平均自由時間為溫度函數，為載子之有效質量（effective mass）。所以霍爾係數也是溫度之函數。其值隨溫度而改變，可能為零，甚至改變正負號。一般而言，，所以會改變正負號，只有在之情況下，也就是，只有P型之半導體才會有此性質。 * Klaus von Klitzing因發現量子化之霍爾電阻而榮獲1985年諾貝爾物理獎（for his discovery of the quantized Hall resistance）。 【預習問題】 何謂霍爾效應？ 何謂電洞？ 敘述移動率及導電率之定義，及它們之間的關係。 【實驗儀器】 三腳架底座 1 支桿 1 直角夾 2 萬用夾 1 電磁線圈300圈 2 U型磁鐵心 2 電壓放大及量測儀 1 電源供應器 1 電流計 1mA-3A DC/AC 1 溫度計 10/30 mV, 200 Deg.c 1 可調範圍之電壓計 1 數字式多用途電錶 1 磁場計 1 銅薄片 1 鋅薄片 1 【實驗裝置與步驟】 1. 實驗裝置如圖二所示。 圖二 實驗裝置圖 電源供應器（20V/12A）串聯10Ω可變電阻，接著串聯金屬薄片（Cu或Zn）於金屬薄片之A及B兩極供應晶片電流。晶片之C及D兩極接電壓放大及量測儀，以便測量霍爾電壓。電磁線圈之電流由電源供應器（18V/5A）供應，電磁磁極間之磁場可由磁場計（Teslameter）來測量。實驗時金屬樣本置於電磁之磁極（pole pieces）間。 (a) 電壓放大量測器須約15分鐘加熱方能達到穩定狀態，避免 漂移（drift）效應。 (b) 如果通入金屬薄片之電流很大，並須注意金屬薄片是否過 熱。盡量將實驗之時間縮短。 (c) 測量霍爾電壓並非易事，因為金屬薄片之C及D兩極一般 不在正相對點上，所以即使沒在外加磁場下，C及D兩極 也有電位差（並非霍爾電壓）。而且一般而言，金屬之霍爾 電壓在微伏特（）左右，所以有些因素，如熱效應與電感 所產生之電壓，也會影響霍爾電壓。 測量霍爾電壓的方法如下： 首先調整電壓放大量測儀，將量測儀放大倍數調至105 ，於沒電流通入金屬薄片時，調整補償電壓