第五章 薄膜的化学气相沉积.ppt

第五章 化学气相沉积 特点 需要使用汽态的物质作为反应物质 源物质要经过化学汽相反应生成所需要的材料 需要相对较高的气体压力环境 通常需要热，电磁场或光等的作用，促使化学反应的进行。 热能：热CVD ，热丝CVD 光能：激光诱导CVD；紫外光诱导CVD 电磁场：等离子体增强CVD 5.1 CVD模型 薄膜的生长过程取决于气体与衬底间界面的相互作用，其具体过程可能涉及以下几个步骤： 提高Re，可以降低边界层的厚度，促进化学反应和提高沉积速度。但Re的增加受到一定限制，Re过高，气体的流动状态变为湍流，这将破坏CVD沉积过程中气流的稳定性，影响沉积的均匀性。 5.3 Grove模型 1966年Grove建立了一个简单的CVD模型： 控制薄膜沉积速率的两个主要因素是： （1）反应剂在边界层中的输运过程 （2）反应剂在衬底表面上的化学反应过程。 虽然这个假设很简单，但能解释CVD过程中的许多现象，并且准确地预测了薄膜的沉积速率。 在多数CVD过程中，反应剂先被惰性气体稀释，此时反应剂的浓度Cg=YCT Y是反应剂的摩尔百分比，CT单位体积中反应剂和惰性气体分子的总数，则薄膜的生长速度： 结论： 1. 反应气体没有稀释时，沉积速率与反应剂浓度Cg成正比 2. 当反应剂稀释时，沉积速率与气相中反应剂的摩尔百分比Y成正比 3. 在Cg或Y为常数时，薄膜沉积速率将由ks和hg中 较小的一个决 定： 在kshg时， 表面反应速率控制的CVD 薄膜的沉积速率是由表面反应速率控制的，那么衬底的温度对沉积速率有比较大的影响，因为表面化学反应对温度的变化非常敏感。当温度升高时，反应速率增加，薄膜的沉积速率加快。当温度升高到一定程度时，由于反应速度的加快，输运到表面的反应剂的数量低于表面反应所需的数量，这时沉积速率转为由质量输运控制，反应速度不再随温度变化而变化。 质量输运控制的CVD 质量输运过程是通过气体扩散完成的，扩散速度与气体的扩散系数和边界层内的浓度梯度有关。 质量输运速率控制的薄膜沉积速率与主气流速度的平方根成正比，增加气流速度可以提高薄膜沉积速率，当气流速率大到一定程度时，薄膜的沉积速率达到一稳定值不再变化。沉积速率转变为由表面反应速度控制 在由质量输运速度控制的沉积过程中，要得到均匀的薄膜，必须严格控制到达各硅片表面的反应剂的浓度，各硅片的温度的均匀性次要因素。 在由表面反应速度控制的沉积过程中，必须严格控制各硅片表面的温度，使各硅片均处于一个恒温场中。  1、CVD气体源 气体源：气瓶 –减压阀- 质量流量控制器-阀-反应室 液态源： 输送方式：1. 冒泡法 2. 加热液态源 3. 液态源直接注入法：先把液态源注 入到汽化室，在气化室气化后直接输 送到反应室。 2. CVD反应室的热源 薄膜的沉积温度一般都高于室温 CVD的反应加热器可分为热壁还是冷壁反应。 反应室器壁温度TW，放置硅片的衬底温度TS 当TW=TS，称做热壁CVD系统 当TWTS，称做冷壁CVD系统 热璧反应不仅加热衬底还加热反应室的器壁。冷璧反应只加热衬底，不加热反应室器壁或用冷却水冷却器壁。 抑制吸热反应的反应产物在器壁上形成沉积物，采用冷壁反应；控制放热反应在器壁上形成沉积物，采用热壁反应。 （2）LPCVD：降低工作室的压力可以提高反应气体和反应产物通过边界层的扩散能力，可提高反应气体浓度，是反应速度限制的。与APCVD比，薄膜的沉积速率高，膜性能好，成本低。 （一般是热壁型的） 2 高密度等离子体CVD（HDPCVD） HPCVD在20世纪90年代中期发展并应用于先进的IC制造工厂。高密度指的是等离子体中活性基团的数目。在同样的工作压力下，在传统的等离子体中，典型的离化度是0.01-0.1%。高密度等离子体技术更有效地使输入功率耦合等离子体，从而获得高达10%的离化率。 主要有三种高密度等离子体源 电子回旋共振（ECR） 感应耦合等离子（ICP） 电感耦合感应器-海利空波）（helicon wave） 4、金属有机化合物CVD（MOCVD，或MOVPE） 特指用三族和二族元素的金属有机化合物与五族和六族元素的氢化物反应制备