薄膜厚度对ZAO透明导电膜性能的影响.docVIP

第 36卷 第 4期 2007年 7月 内蒙古师范大学学报 (自然科学汉文版 Journal of Inner Mongolia Normal University (Natural Science Edition Vol. 36No. 4J uly 2007 收稿日期 :2006-12-20 基金项目 :重庆市教委科研基金资助项目 (040810 作者简介 :靳铁良 (1962- , 男 , 河南省新密市人 , 平顶山学院副教授 , 主要从事理论物理教学及凝聚态研究 . 薄膜厚度对 ZAO 透明导电膜性能的影响 靳铁良 1, 殷胜东 2 (1. 平顶山学院 物理学与电气信息工程学院 , 河南 平顶山 467002; 2. 重庆师范大学 物理学与信息技术学院 , 重庆 400047 摘 　 要 :采用直流反应磁控溅射法 , 用 Al 含量为 2%的 Zn/Al 合金靶材 , 室温下在玻璃衬底上制备了 ZAO 透明导电薄膜样品 . 在其他参数不变的情况下 , 由不同溅射时间得到不同的薄膜厚度 , 、 光 学和电学性质随薄膜厚度的变化关系 . 制备的 ZnO :Al (002 构 , 电阻率为 5. 1×10-4Ω? cm , 平均透射率达到 88%. 关键词 :直流反应磁控溅射 ; ZAO 薄膜 ; 中图分类号 :O 484. 4:A :2 042204662204 , 如低电阻率 、 高可见光透射率等 , 而被作为透明电极广 [1]. 尽管 ITO 薄膜在许多应用中占有主要地位 , 但 ZAO 薄膜 (ZnO :Al 由 于原材料丰富 、 制备简单 、 性能稳定 、 无毒 , 并具有可与 ITO 薄膜比拟的光学 、 电学性质 , 已成为一种重要的 光电子信息材料 , 被认为是新一代透明导电薄膜中最有前途的产品之一 . ZAO 薄膜的常用制备方法有化学 气相沉积法 [2]、 溶胶 -凝胶法 [3]、 脉冲激光法 [4]、 等离子体沉积法 [5]、 热喷涂法 [6]、 磁控溅射法 [7-11]等 , 利用这 些方法制备的优质 ZAO 薄膜的性能都能达到工业化生产的要求 . 目前 , 直流反应磁控溅射法是制备 ZAO 透明导电膜常用的一种方法 , 其优点是靶的纯度高 、 制作方便 、 造价低廉 、 薄膜沉积速率快 , 而且在室温下容易控制 , 可在不同性质的基片上镀膜 , 便于大面积成膜 . 本文在 室温下采用直流反应磁控溅射技术制备了 ZAO 透明导电膜 , 在溅射功率 、 氧分压 、 靶基距等制备参数保持 一致的条件下 , 研究淀积时间对薄膜厚度 、 结晶程度及薄膜的结构性质 、 光学和电学性能的影响 . 1　 实验条件及方法 所有样品均在 TXZ600型磁控溅射镀膜机上制备 . 靶材为 Zn/Al 合金圆形平面靶 ,Al 的相对含量 2%, 本底真空度 6×10-4Pa ; 以载玻片为基片 , 靶基距 7cm ; Ar 气和 O 2流量由流量计控制 , 压强分别为 0. 3Pa 和 0. 08Pa , 混合后由导管引到基片附近 ; 镀膜室总压强为 0. 38Pa , 溅射功率为 120W , 溅射时间为 5,15,25, 35min. 实验中用可见光区的透射率和电阻率表征薄膜的光 、 电性能 , 薄膜厚度用美国生产的台阶仪检测 , 用 van de Pauw 方法分别获得薄膜的电阻率 、 载流子浓度和迁移率 . XRD 分析采用日本理学 D/max -RA 旋转 阳极 X 射线双晶衍射仪 , 可见光区的透射率用日本日立公司生产的 U -4100自动记录光谱光度计测试 . 所 有薄膜样品均在 Ar 气环境中退火处理 , 退火温度为 300℃ , 退火时间为 0. 5h. 2　 实验结果与讨论 图 1为室温下在玻璃衬底上制备的不同沉积时间的 ZAO 透明导电膜 X 射线衍射谱 , 由图 1可见 , 随着 薄膜厚度的增加 , 薄膜的衍射强度增大 , (002 面衍射峰变得尖锐 , 这说明随着薄膜厚度的增加 , 薄膜的晶粒 粒度逐渐增大 , 晶化程度提高 . 另外 , 薄膜的衍射谱中只存在对应于 (002 面的一个衍射峰 , 这表明 ZAO 膜 　 第 4期 靳铁良 等 :薄膜厚度对 ZAO 透明导电膜性能的影响 　　　 1X 衍射谱比较 具有 (002 面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 , 其 c 轴 垂直于衬底 . 利用电子扫描显微镜 (SEM 观察到的 ZAO 薄膜的表面 形貌如图 2所示 , 图中给出淀积时间为 5,15,25,35min 时 , 玻 璃衬底上生长的薄膜的表面形貌 . 随着淀积时间的延长和薄 膜厚度的增加 , 可以明显看到玻璃衬底薄膜晶粒逐渐增大 , 晶 化程度提高 , 薄膜表面变得非常致密 . 图 3