led芯片制造的工艺流程.doc

1.2 LED芯片制造的工艺流程 LED芯片制造的工艺流程 属LED上游产业 靠设备 引言 l LED是二极管，是半导体。 l 本节讨论的LED的制造=LED的芯片制造。 l LED的制造工艺和其它半导体器件的制造工艺 有很多相同之处。 l 除个别设备外，多数半导体设备经过改进可以 用于LED的制造。 引言 LED芯片制造工艺分三大部分 l 外延片——按1.1节的LED芯片的结构：选衬底， MOCVD在衬底上制作外延层（也叫镀膜），n区， 发光区，p区，透明导电层。 l 电极——对LED外延片做电极（P极，N极） 。 l 芯片——用激光机切割LED外延片成。 内容 l 一、LED芯片制造设备 l 二、LED芯片衬底材料的选用 l 三、LED外延片的制作 l 四、LED对外延片的技术要求 l 五、LED芯片电极P极和N极的制作 l 六、LED外延片的切割成芯片 1、LED芯片制造用设备 l 外延片的制备： l MOCVD：是制作LED芯片的最重要技术。 l MOCVD外延炉：是制造LED最重要的设备。一台 外延炉要100多万美元，投资最大的环节。 l 电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子注入机等。 l 衬底加工设备：减薄机、划片机、检测设备等。 2、MOCVD设备 l MOCVD——金属有机物化学气相淀积（Metal- Organic Chemical Vapor Deposition） 3、光刻机 3、光刻机 4、刻蚀机 5、离子注入机 6、清洗机 7、划片机 7、划片机 同一功能有不同型号设备选择 8、芯片分选机 9、LED芯片的制造 l 从以上的的仪器设备可以看出，LED芯片的制 造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。 l LED芯片质量依赖于这些设备和操作这些设备 的人员。 l 设备本身的制造也是LED生产的上游产业，一 定程度上反映国家的光电子的发展水平。 二、LED芯片衬底材料的选用 l LED芯片首要考虑的问题：衬底材料的选用。 l 选择衬底依据：根据设备和LED器件的要求进 行选择。 三种衬底材料 目前市面上一般有三种材料可作为衬底 l 　蓝宝石（Al2O3） l 　硅 (Si) l 　碳化硅（SiC） 除了以上三种常用的衬底材料之外，还有 GaAs、AlN、ZnO等材料。 下面分别介绍三种材料的特点 1、蓝宝石衬底 蓝宝石衬底的优点： l 生产技术成熟、器件质量好； l 稳定性很好，能够运用在高温生长过程； l 机械强度高，易于处理和清洗。 1、蓝宝石衬底 蓝宝石衬底应用 l GaN基材料和器件的外延层。 l 对应LED：蓝光（材料决定波长） 1、蓝宝石作为衬底的LED芯片 芯片也叫晶粒 1、蓝宝石作为衬底存的一些问题 l （1）晶格失配和热应力失配，这会在外延层 中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺 造成困难。 l （2）无法制作垂直结构的器件，因为蓝宝石 是一种绝缘体，常温下的电阻率大于 1011Ω·cm 。 1、蓝宝石作为衬底存的一些问题 l （3）成本增加： l 通常只能在外延层上表面制作n型和p型电极。在上 表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时 增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材 料利用率降低。 l GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容 易对其进行刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备。 l 蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金 刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行 减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。 1、蓝宝石作为衬底存的一些问题 l （4）导热性能不是很好（在100℃约为25W/ （m·K））。 为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器 件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电 性能。 2、硅衬底 l 硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明 显改善，从而延长了器件的寿命。 l 电极制作：硅衬底的芯片电极可采用两种接触 方式，分别是L接触（Laterial-contact ,水平 接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接 触），以下简称为L型电极和V型电极。通过 这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是 横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流 可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积， 从而提高了LED的出光效率。 2、硅衬底 l 应用：目前有部分LED芯片采用硅衬底 ，如 上面提到的GaN材料的蓝光LED 3、碳化硅衬底 l 美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底 3、碳化硅衬底特点 l 电极：L型电极设计，电流是纵向流动的，两个电极 分布在器件的表面和底部，所产生的热量可以通过电 极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此 光不会被电流扩散层的材料吸收，这样又提高了出光 效率。 l 导热：碳