GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析.docVIP

收稿日期:Z 005-09-Z 1. 基金项目:国家 十五 科技攻关计划重大项目 Z 003BA 316A 01-01-0Z 深圳市科技计划项目. 光电器件 G a N 基功率型LED 芯片散热性能测试与分析 钱可元1! 郑代顺1! 罗毅1! Z (1. 清华大学深圳研究生院半导体照明实验室 广东深圳518055 2. 清华大学集成光电子学国家重点实验室 北京100084 摘要:与正装LED 相比! 倒装焊芯片技术在功率型LED 的散热方面具有潜在的优势 对各种正装和倒装焊功率型LED 芯片的表面温度分布进行了直接测试! 对其散热性能进行了分析 研究表明! 焊接层的材料#焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED 芯片散热能力的主要因素$而对于正装LED 芯片! 由于工艺简单! 减少了中间热沉! 通过结构的优化! 工艺的改进! 完全可以达到与倒装焊LED 芯片相同的散热能力 关键词:功率型LED 倒装焊结构 散热性能 热阻 中图分类号:TN31Z .8文献标识码:A 文章编号:1001-5868 Z 006 03-0Z 36-04 Ther m al D is p ers i on of G a N -based Power LED s O I AN Ke-y uan 1 Z HENG D ai-shun 1 L UO Y i 1 Z 1. G raduate S chool at S henzhen T s i n g hua Univers it y S henzhen 518055 CHN 2. S t ate K e y Laborat or y of Inte g rated o p t oelectronics T s i n g hua Univers it y B ei i n g 100084 CHN Abstract I n t he as p ect Of t her m al di s p ersi On f Or p O Wer LED s fli p -chi p cOnfi g urati On has p Ot enti al p redO m i nance . The t e m p erat ure di stri buti On Of p O Wer LED s i s m easured and t he p erf Or m ance Of t her m al di s p ersi On i s di scussed . The anal y ti cal results shO W t hat t he sOl der m at eri al cOnt act area and p r Ocessi n g C ualit y Of sOl der l a y er W ill be m ai n f act Ors restri cti n g t he abilit y Of t her m al di s p ersi On f Or fli p -chi p cOnfi g urati On LED s . \ean Whil e t he nOr m al LED chi p s e m itti n g li g ht f r O m p -si de are p Ossi bl e t O reach t he sa m e t her m al di s p ersi On p erf Or m ance as t he fli p -chi p bOnded LED s t hr Ou g h adO p ti n g a pp r O p ri at e bOndi n g t echni C ue and O p ti m i zi n g chi p str uct ure . Ke y words p O Wer LED fli p -chi p cOnfi g urati On p erf Or m ance Of t her m al di s p ersi On t her m al resi st ance 1引言 对于功率型LED 目前的电光能量转换效率约 为15 即85 的能量将转化为热能 在G a N 基功率型LED 中 由于 族氮化物的P 型掺杂受限于\g 受主的溶解度和空穴的较高激活能 热量特别 容易在P 型区域中产生 如果热量集中在尺寸很小的芯片内 会使芯片温度升高 引起热应力分布不均 芯片发光效率和荧光粉转换效率下降 当温度超过一定值时 器件失效率呈指数规律升高 因此在芯片制作和封装设计方面要设法降低热阻 以保证功率型LED 能高效且可靠地工作 本文在对各种功率型LED 芯片的表面温度分布进行直接测试的基础上 分析了正装和倒