西安交通大学考研849半导体物理2015年真题（整理版）.docxVIP

2015年真题 一、什么是简并、非简并半导体？给出非简并、弱简并以及简并半导体的区分标准 二、定性画出硅和砷化镓的电子平均漂移速度与电场强度的关系。 三、什么是杂质能级？在半导体中有意掺入各种元素，他们分别影响半导体的哪些主要性质？ 四、描述pn结光电池的基本工作原理，解释什么是光电池的短路电流和开路电压？ 五、什么是肖特基接触和欧姆接触？并画出相应的IV曲线。 六、对于掺杂的元素半导体硅和锗，一般情形下对载流子的主要散射机制是什么？写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系。 七、在室温下，某硅器件的能带图如图（1）平衡条件成立吗，证明（2）在何处附近半导体是简并的？（3）给出流过x=L/3处的电子电流密度表达式。 八、为什么半导体器件会有一个最高工作温度，对于一个n型硅器件，若一直其掺杂浓度为ND，如何大致判定其最高工作温度。 九、在半导体锗材料中，掺入的施主杂质浓度ND=1014cm-3，受主杂质浓度为NA=7*1013cm-3，设室温下本征锗的电阻率为60Ωcm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3800cm2/Vs，μp=1800cm2/Vs，如流过样品的电流密度为52.3mA/cm2，求所加的电场强度。 十、画出理想MIS（p型）结构的高频、低频以及深耗尽C-V曲线，并标出表面状态对应的区域。已知氧化层厚度为tox，掺杂浓度为NA，本征载流子浓度为ni，氧化物的相对