西安交通大学考研849半导体物理2001年真题（整理版）.docxVIP

2001年真题 一、（20分） 1、说明本征硅、n型硅和p型硅的费米能级EF分别位于禁带中何处，随着施主和受主杂质浓度的增加，n型硅和p型硅的EF如何变化？ 2、举例说明何谓直接带隙半导体和间接带隙半导体。分别说明直接跃迁和间接跃迁时，跃迁前后电子波矢所遵守的选择定则。 3、画出硅、锗的简约布里渊区图，并画出硅和锗的导带底电子态位于简约布里渊区的位置。 4、（a）说明在高纯硅样品中，迁移率随温度上升如何变化及其原因。 （b）说明在掺杂较高的硅样品中迁移率在低温时下降的原因。 二、（20分） 1、一块有掺杂补偿的n型硅单晶材料，其平衡电子浓度n=7.5*1015/cm3，已知掺入的受主浓度NA=5*1014/cm3，室温下测得其费米能级EF恰好与施主能级重合，求 （1）平衡少数载流子浓度；（2）掺入材料中的施主杂志浓度ND；（室温下硅的本征载流子浓度ni=1.5*1010/cm3） 三、（30分） 1、计算掺硼浓度为2*1016/cm3的硅单晶的电阻率。 2、计算在掺硼浓度为6*1016/cm3的磷的硅单晶的室温电阻率。 注：P型硅在掺杂浓度为2*1016/cm3和1*1017/cm3时的室温迁移率分别为400cm3/VS和300cm3/VS。 （20分） MOS结构的SiO2层中均匀分布着正电荷，单位面积氧化层的总离子数为1*1014/cm3，每个离子带正电荷，q=1.6*10-1