西安交通大学考研849半导体物理2004年真题（整理版）.docxVIP

2004年真题 试说明半导体中有效质量的意义和性质，砷化镓导带最低能谷中电子有效质量和次低能谷中有效质量哪个大？为什么？ 简述Si、Ge、和砷化镓导带的能带结构 金在硅中引入一个导带底下面0.54eV的受主能级和价带之上0.35eV的施主能级，试说明在下列情况下，金将是什么荷电状态，费米能级相对本征能级的位置和硅的导电类型。 （1）、只有Au，浓度为NAu （2）、掺有浅施主杂质，浓度NDNAu （3）、掺有浅受主杂质，浓度NANAu 四、在一维情况下，说明非平衡态半导体中载流子(空穴)运动规律的连续性方程的各部分所表示的物理意义。 五、下面是pn结硅光电池的示意图，分别绘图或用语言说明下列要求内容： （1）pn结自建电场方向； （2）光生载流子的运动方向； （3）光生电流的方向； （4）pn结正向电流方向 （5）广生电压的正、负极。 六、在讨论由p型半导体组成的MIS结构的表面电场效应时，引入了F函数，写出下列情况F函数的近似表达式： （1）多子积累状态； （2）平带状态 （3）耗尽状态 （4）表面本征状态 （5）临界强反型状态 （6）强反型状态 七、试用一维非均匀掺杂非简并p型半导体模型导出爱因斯坦关系式 八、有三块锗单晶，已知第一块中掺有杂质磷和硼，浓度分别为ND1=4*1013/cm3、NA1=6*1012/cm3，第二块只掺有杂质磷，其浓度为ND2=4*1016/cm3，