西安交通大学考研849半导体物理2003年真题（整理版）.docxVIP

2003年真题 区别并说明下列各对术语的物理意义及特点。（30分） 浅能级杂质和深能级杂质 状态密度有效质量和电导有效质量 费米能级和准费米能级 非平衡载流子和热载流子 欧姆接触和肖特基接触 平带电压和阈值电压（对MOS电容而言） 在不考虑载流子统计分布的情况下： 证明半导体中有两种载流子同时存在，其霍尔系数RH= 根据上面结果分别就本征、n型、p型半导体在不同温度范围内变化情况进行分析讨论。 三、 1、在一块掺硼的P型硅中，含有一定浓度的铟，室温时测得空穴浓度P0=1.1*1016/cm3，已知硼浓度NA1=1016/cm3，硼的电离能ΔEA1=0.045eV，铟的电离能ΔEA2=0.16eV，试求费米能级位置和铟浓度。（NV=1.1*1019/cm3） 2、在某种半导体中掺入受主杂质NA=1.74*1013/cm3，在室温时，该半导体的电导率正好取得最小值σmin=2.1*10-2S/cm,试求在这块半导体在这种条件下的电子和空穴迁移率μn，μp，（ni=2.4*1012/cm3） 四、均匀的n型半导体，用一矩形脉冲照射，在内部均匀产生非平衡载流子，其产生率gp，寿命为τp，光脉冲持续时间为Δt。 1、求样品从光脉冲照射开始（t=0）到光脉冲结束以后的整个时间内，非平衡载流子随时间的变化规律，并画出曲线示意图。 2、设gp=1017/cm3，S，τp=10μs，Δt=20μs时