西安交通大学考研849半导体物理2014年真题（整理版）.docxVIP

2014年真题 一、名词解释 1、能量状态密度 2、简并半导体 3、间接复合 4、热载流子 5、迁移率 6、肖特基势垒 7、MOSFET漏致势垒降低效应 8、MOSFET沟道长度调制效应 二、掺有一种施主及一种受主杂质的半导体材料中有哪些带电粒子？写出完全电离条件下的电中性方程。 三、以硅的杂质半导体为例，简述载流子的主要散射机制及电阻率随着温度变化的规律。 四、说明表面态、镜像力及隧道效应对金属-半导体接触的影响。 五、什么条件下可用玻尔兹曼统计处理平衡半导体中载流子的统计分布？如何处理非平衡载流子的统计分布？ 六、对于某种掺磷的n型硅，磷电离能为0.044eV，求室温下杂质半电离时，费米能级位置和磷的浓度。 七、计算下列MOS结构中的平带电压变化，氧化层厚度为tox=75nm（1）电荷分布在氧化层表面，密度为QSSq 八、硅掺入施主杂质，掺杂浓度为3*1016cm-3，t=0的时候开始光照，产生率g=2*1020cm-3，t=10-7s停止光照，写出非平衡载流子变化规律。 九、MOSFET的IOFF定义为VGS=0时，VDS=VDD时的IDS。开泰电流ION的定义为VGS=VDD时的饱和电流，分别说明下列情况下IOFF,ION的变化：（1）VT增大（2）沟道长度L变大（3）源漏级的离子扩散深度rj减小（4）氧化层厚度tox增大 十、如图所示是一个MOSFET电流电压图。（1）当