西安交通大学考研849半导体物理2006年真题（整理版）.docxVIP

2006年真题 一、名词解释（40分） 1、热载流子 2、pn结势垒电容 3、回旋共振实验 4、直接带隙半导体 5、有效复合中心 6、pn结的光生伏特效应 7、热电子发射理论 8、半导体表面钝化 二、问答题（60分） 1、什么是半导体表面态，说明表面态对金属-半导体接触势垒的影响。 2、图1给出了P型半导体表面电荷密度的绝对值随表面势Vs的变化关系，在图中标出（1）至（5）区的名称，分区解释之，并说明什么是深耗尽状态？ 3、画出p型衬底MOS电容器的高频、低频电容-电压曲线示意图，并解释他们的区别。 4、由砷化镓的能带结构简述负微分电导。 5、如何由图2确定掺入1014/cm3施主杂质的硅、锗及砷化镓器件的最高工作温度？最高工作温度各为多少？哪一种更适合做大功率器件？为什么？ 三、计算题（50分） 1、如图所示，均匀掺杂的长条状n型硅样品，平衡态电子浓度为n0，在样品的重点x=0处利用稳定光照均匀产生非平衡载流子(Δp）0，沿x方向加稳定电场E，求该样品少数载流子浓度分布，并讨论弱电场和强电场时的情况。 2、室温下，浓度为108cm-3的硅原子掺入砷化镓中，其中95%代替了镓原子，5%代替了砷原子，已知砷化镓的本征载流子浓度为107cm-3，（1）求样品中的施主浓度及受主浓度；（2）电子和空穴的浓度（3）费米能级相对于本征费米能级的位置。 3、用n+多晶硅作NMOS器件的栅极，硅衬