西安交通大学考研849半导体物理2013年真题（整理版）.docxVIP

2013年 一、名词解释 1、能带 2、有效质量 3、少子寿命 4、准费米能级 5、施主杂质 二、简答题 1、以n型半导体为例，假定在禁带中部偏下的位置存在一个能级，在该能级之上的表面态为受主型，之下的为施主型（1）简要说明高密度表面态对金属与半导体接触的影响（2）试画出此种情况下，当金属功函数小于半导体功函数时的能级图，并说明费米能级与题中能级之间的位置关系。 2、简要说明在利用光电导衰减法测量少子寿命原理：一般在测量时，为什么在脉冲光照的同时还要加上恒定光照。 三、计算题 1、试推导理想MIS结构的开启电压随温度变化的表达式。 2、一均匀掺杂的N型半导体样品，在左半部用稳定均匀分布的光照射，均匀产生电子空穴对，产生率为g，若样品两半部分长度均远远大于扩散长度LP，试求稳态时样品两边空穴浓度分布（不考虑宽度、表面及电场的影响）