西安交通大学考研849半导体物理2019年真题（整理版）.docxVIP

2019年真题 (40分)名词解释 (1)施主杂质 (2)补偿作用 (3)简并半导体 (4)镜像力降低 (5)表面复合速度 (6)有效质量 (7)迁移率 (8)平带电压 (5分)P型半导体在杂质电离范围内的电中性方程 (5分)回旋共振实验，实验作用 (5分)为什么随着电压增大平均漂移速度会趋于饱和值 (5分)杂质浓度和温度对电阻率分别有怎样的影响 (5分)在持续的光照下，非平衡少数载流子是否会一直增加 (5分)画出n型衬底MOS结构临界强反型时的能带图，为什么空间电荷区会不再随金属上外加电压而变化 (5分)霍尔效应是否可以测量迁移率，并说明原因 (5分)在一般半导体中，为什么通常表面处的载流子迁移率小于体内的载流子迁移率 (15分)用n型半导体制作欧姆接触，画出制作工艺的剖面图，画出相应的能带图，其中利用的是什么效应 (15分)在p型GaAs中Na=，若要使费米能级位于本征费米能级以下0.45ev处，应该加入什么类型杂质，杂质浓度是多少 (20分)画出p型衬底MOS结构在低频和高频下的C-V曲线示意图，说明堆积、耗尽、本征状态、弱反型、强反型对应的范围或点，以及各状态的表面势情况 (20分)T=300K时掺杂浓度为Na=的半无限(x=0)硅棒，在x=0处施加外界作用使得x=0处的=0。(a)确定热平衡状态下的多子浓度和少子浓度的值；(b) x=0处非平衡少子浓度是多少；(c)推导