西安交通大学考研849半导体物理2002年真题（整理版）.docxVIP

2002年真题 画出示意图并回答相应的问题(20分，每题5分) 1、以非简并n型半导体为例，画出其费米能级随温度的变化规律，把它分为五个温度范围并表出其名称。 2、画出半导体电阻率随温度的变化规律，并分段说明其变化的趋势及原因。 3、画出n型GaAs电子飘逸速度随电场强度变化的关系，并从GaAs导带结构分段予以解释。 4、金属与n型半导体（WMWS），分别画出在理想情况下的平衡和加正、反向偏压下的能带图，并由此说明其整流效应。 二、（20分，第一题8分，二三题各6分） 半导体中有单一复合中心能级Et所决定的载流子的净复合率为 U= 其中n1=NCexpE 1、说明PN结在下列情况下和区域中是否有载流子的净产生和净复合：（1）未加偏压时的势垒区（2）正偏下的势垒区和扩散区（3）反偏下的势垒区和扩散区（4）正偏下势垒区、扩散区之外的区域 2、设电子和空穴的俘获系数rn=rp=r，由题中式子导出净复合率的另一表达式，由此说明有效复合中心的位置。 3、在小注入情况下，利用题中式子分别导出强n型和强p型少子寿命的表达式。 三、计算（60分） 1、在掺有硼浓度NA=1015/cm3作衬底的P型硅片上扩散磷形成PN结。（1）求衬底硅片在室温T=300K下的电阻率。（2）在PN结的某处，已知扩散的磷浓度ND=1.3*1015/cm3，求此处电阻率。（3）当把此处PN结放在200℃的温度下，求（2）